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2017-09-03 发布于天津
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ti3 sic 导电陶瓷粉体的制备 - 东北电力大学

第36卷第6期　东北电力大学学报 Vol.36,No.6 2016年12月 Journal Of Northeast Dianli University Dec. ,2016 - - - 文章编号:1005 2992(2016)06 0105 03 Ti SiC导电陶瓷粉体的制备 3 于明志 (东北电力大学工程训练中心,吉林吉林 132012) = 摘　　　要:将单质粉体Ti,Si和C作为实验原料,按着原子配比(Ti ∶ Si ∶ C 3 ∶ 1 ∶ 2)将原料粉体称量混合后,利用高能球磨机和放电等离子设备进行Ti SiC导电陶瓷粉体的制备。通过机械合金化工艺 3 (球磨转速550rpm,球料比10 ∶ 1,磨球直径12mm)球磨10h,生成以Ti SiC为主晶相的混合粉体,其中 3 Ti SiC含量为83%,同时研究了放电等离子温度对混合粉体中Ti SiC的含量和形貌的影响。研究表明: 3 3 利用放电等离子工艺可提高球磨粉体中的Ti SiC含量,当烧结温度为1000 ℃时,球磨粉体中Ti SiC 的 3 3 含量达到99.1%,球磨粉体的组织形貌也以Ti SiC的典型层片状为主。 3 关键词:Ti SiC;导电陶瓷;机械合金化 3 中图分类号:TG148　　　　文献标识码:A 4 - = Ti SiC是一种新型三元层状化合物,Ti SiC 属六方晶系,空间群为D P6 / mmc,晶格参数为a 3 3 2 6h 3 = - 0.3068nm,c 1.766nm;其中Ti C为共价键结合,即结合键力较强,赋予材料高熔点、高模量等性能, - [1 3] 而Si原子层内部及