ti（cr）缓冲层对用于垂直磁记录材料cocrta 介质磁特性和 - 物理学报.pdfVIP

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2017-09-03 发布于天津
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第卷第期年月物理学报 #% 7 4 7 ，，， U-= 2#% P- 2 7 V0.@ 4 （） $;7(,4,#% 7 , $47;# 9+/9 KRS)T+9 )TPT+9 !4 +@*B 2 K@MI 2 )- 2 （）缓冲层对用于垂直磁记录材料 ! #$ #%#$! 介质磁特性和微结构的影响! ! 甄聪棉马丽张金娟刘英聂向富（河北师范大学物理科学与信息工程学院，石家庄 #$% ）（年月日收到；年月日收到修改稿） % ’ % ( $ 利用直流对靶磁控溅射技术在单晶衬底上制备了（，）介质材料分别采用振动样品磁 )* +, +-+./0, ! ! 1 +. /* 2 强计、射线衍射仪、扫描探针显微镜对样品的磁性、微结构等进行了测试分析研究发现，缓冲层有利于样品中 3 2 /* 晶粒的易轴垂直于膜面生长以为缓冲层的样品，颗粒尺寸和表面粗糙度较小，而且磁畴明显，说明以为缓 +- 2 /* /* 冲层的薄膜样品更适宜做垂直磁记录2 关键词：，垂直磁记录，缓冲层，微结构 +-+./0 ：， ’(## 4##) 4#4+ ［，］力7 5 2 通常，作为纵向磁记录介质的+-+./0 通常以引言为缓冲层这是由于结构的在适当的制备 $H +. 2 D +. 条件下沿（）和（）晶面取向生长，它们分别 $$ 磁记录材料广泛用于计算机和电子设备中随 2 与结构的（）和（）晶面匹配，可以使 @L +- $ H $ H $ ［］着电子产业的迅速发展，单个记录位的面积越来越