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ZnSe薄膜的电沉积法制备研究

摘要 摘要 纳米晶太阳能电池(NPC)以及极薄吸附层太阳能电池(ETA)以其工艺简 单,成本低廉等优势成为太阳能电池领域的研究热点。本文综述了各种太阳能电 池的发展情况,研究了新一代缓冲层材料ZnSe薄膜的电沉积法制备,并对ZnSe 在透明导电氧化物(TcO)基底上的沉积机理进行了讨论。 本文采用恒电位沉积的方法从ZnS04和Seth的水溶液中,在不同的透明导 电氧化物基底上制备出接近化学计量的、纯立方相的ZnSe薄膜。采用XRD、 gEM、EDS和UV-VIS表征了薄膜的相组成、结晶形貌、透光率和带隙值,并在 认真分析实验现象和结果的基础上讨论了ZnSe的电沉积机理。 根据能斯特(Nemst)方程式计算出在本实验条件下se和zn的沉积电势。 研究了Se032浓度、pH值、温度、沉积电位、支持电解质和络合剂等因素对沉 积过程和薄膜结构与性能的影响。结果表明,se032。是电解液中的活性物质;支 所起到的络合作用很微弱。 基底对于沉积过程的影响显著。不同基底上的沉积情况明显不同。H2Se在 透明导电氧化物电极上的原位催化效应导致ZnSe的沉积难以进行。最终,我们 通过对电解液的强烈搅拌,削弱I-12Se的原位催化效应,制备出了纯立方相的ZnSe 薄膜。但是,在不同基底上沉积出的薄膜都不同程度的存在Se元素过量,而在 流动的Ar气中煅烧可以有效地改进薄膜的化学计量。 关键词:ZnSe薄膜;电化学沉积;水溶液;透明导电氧化物;电沉积机理 ABSTRACT ABSTRACT thinabsorbersolar Nanocrystal cells(NFC)andextremely photo-eletrochemical been studied totheirlowcostand cells(ETA)havewidely according simple this overviewaboutthe ofvariouskindofsolar technology.Inpaper,all development cellswas ofZnSeasa forbuffer ofNPC candidate given.Theelectrodeposition layers andETAsolarcellswas mechanismofZnSeon studied.Furthermore,thedeposition conductive discussed. transparent oxides(TCO)Was ZnSefilmsincoincidencewith WCTefabricatedonTCOs Pure,cubic stoichiometry from and bY electrolytes ZnS04Se02.XRD, potentiostaticdeposition containing to andUv.ⅥSWere characterizethe and SEM,EDS

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