基本电学模拟测验试题第一回.DOCVIP

電子學升學模擬測驗試題 第六回 B電子學就是研究荷電質點在 (A)導體 (B)半導體 (C)絕緣體 (D)韌體 內移動的科學與工程學。 D某電路工作於50Hz，該電路上某一點的電壓與電流間的相位差為45°，此相位差表示在時間上的差為 (A)1ms (B)1.5ms (C)2ms (D)2.5ms。 C本質半導體傳導電流是靠下列何者的移動？ (A)電子 (B)電洞 (C)電子與電洞 (D)以上皆非。 D半導體PN接面的空乏區(depletion layer)，在何種狀況下更明顯(A)斷路時(B)短路時(C)加上順向偏壓時(D)加上逆向偏壓時。 A下列有關半導體的敘述何者有誤？ (A)半導體為正溫度係數 (B)半導體的電壓與電流不呈線性關係變化 (C)摻雜之半導體比本質半導體有更好的導電性 (D)半導體的導電性隨溫度上升而增加。 C在矽晶體中，欲使電子由共價鍵釋放出來成自由電子，至少需要多少能量？ (A)0.45eV (B)0.72eV (C)1.1eV (D)1.6eV。 B稽納(Zener)二極體用於穩壓電路時，其工作區域為 (A)負電阻區 (B)崩潰區 (C)順向區 (D)以上皆非。 A將交流電壓升壓或降壓的裝置是 (A)變壓器 (B)整流器 (C)濾波器 (D)電壓調整器。 C一個60Hz的交流電壓經全波整流後，在負載上之電壓波形的頻率為 (A)60Hz (B)100Hz (C)120Hz (D)180Hz。 C如圖(1)所示電路，若所有二極體皆為理想，且，試問每一個二極體的峰值逆向電壓(PIV)為何？ (A)10V (B)20V (C)40V (D)80V。 D有一倍壓整流電路，若其輸出電壓為(為變壓器次級線圈的最大電壓值)，則需使用幾個二極體與電容器？ (A)2個二極體，2個電容器 (B)2個二極體，4個電容器 (C)4個二極體，2個電容器 (D)4個二極體，4個電容器。 D有關雙極性接面電晶體的結構與特性，下列敘述何者正確？ (A)集極接合面小於射極接合面 (B)含雜質比例是集極高於射極 (C)崩潰電壓是射極接合面高於集極接合面 (D)NPN型電晶體射極內的多數載子為電子。 D雙極性接面電晶體共射極組態電路之α值，若由0.96變動增加為0.99，則電路β值的變動量為(A)25 (B)33.3 (C)50 (D)75。 B雙極性接面電晶體的基極電流由10μA增至60μA時，集極電流由1mA增至6mA，則此電晶體的電流放大因素β為 (A)10 (B)100 (C)1000 (D)10000。 D如圖(2)所示電路，其中、，電晶體之β值為50，則電阻應選用多少，才能使電晶體工作於飽和區？ (A)100kΩ (B)80kΩ (C)60kΩ (D)40kΩ。 A如圖(3)所示電路，電晶體之、，設，則集極電流等於 (A) 0.5mA (B) 1.0mA (C)1.5mA (D)2.5mA。 圖(1) 圖(2) 圖(3) 圖(4) 圖(5)(a) 圖(5)(b) D有一FET，汲極有外加一偏壓，若當時，其汲極電流，那它可能是 (A)JFET (B)N通道空乏型MOSFET (C)P通道空乏型MOSFET (D)N通道增強型MOSFET。 DJFET汲極與源極間通道的有效寬度會隨逆向偏壓的增加而減少，當時，通道有效寬度降至最小，此電壓稱之為 (A)截止電壓 (B)崩潰電壓 (C)峰值反向電壓 (D)夾止電壓。 C一增強型MOSFET之，元件參數，臨界電壓，，之值應為 (A)0V (B)3V (C)4V (D)5V。 D今有一雙極性接面電晶體，其、，設熱電壓，則等於多少歐姆？ (A)6.75Ω (B)7.5Ω (C)10Ω (D)13Ω。 C下列敘述何者錯誤？ (A)小信號模型可以幫助我們分析電路的交流特性 (B)混合π型小信號模型適用於NPN型和PNP型的雙極性接面電晶體 (C)小信號分析是為了瞭解電路的交流特性，與直流偏壓無關 (D)參數小信號模型適用於NPN型和PNP型的雙極性接面電晶體。 C如圖(4)所示電路，其中、、，電晶體之、，則其交流電流增益為多少？ (A)36 (B)42 (C)48 (D)54。 D某一兩級串接放大器，其第一級電壓增益為100，第二級電壓增益為50，則其總電壓增益為 (A)150 (B)50 (C)1000 (D)5000。 D有一變壓器初級與次級之圈數比為10：1，若次級圈接上一個8Ω的負載，則從初