基于二维胶体晶体刻蚀法的纳米颗粒阵列!.PDFVIP

前沿进展 基于二维胶体晶体刻蚀法的纳米颗粒阵列! 孙丰强! ! 蔡伟平 ! ! 李! 越! ! 张立德 （中国科学院固体物理研究所! 合肥! #$$’ ） 摘! 要! ! 悬浮液中的胶体球在一定条件下能够自组装成二维胶体晶体，以此为掩膜可合成纳米颗粒阵列体系，其 颗粒形状、尺寸以及间距等参数易于控制( 调整这些参数和相应的介质环境可以实现对颗粒阵列体系性质的有效控 制，这也为研究尺寸效应提供了便利，且在一些具有特殊功能的纳米器件方面具有潜在的应用价值( 文章重点介绍了 这种阵列体系的合成过程、结构形态和性质，并展望了其应用前景( 关键词! ! 纳米颗粒阵列，二维胶体晶体刻蚀 !#$%’()*+ , -,#’.+-(/+0 1, ’2$30(4+#-($#* )$**$(0 ),-’* *(’.$5%., )*+ ,-./0123./! ! 456 7-2082./ ! ! 96 :;-! ! =5+ 920?- （!#$%$$’ () *(+%, *$-$’ ./0#%1# ，2/%’#’ 31-,’40 () *1%’1’# ，5’) ’%6 #$$’，2/%- ） 61-’)’7 7 4@AA@2B CDE-F-C 2. GE- C;CD-.C2@. H3. C-AI03CC-JKA- 2.G@ GL@0B2J-.C2@.3A H@AA@2B HFMCG3A ;.B-F H-F0 G32. H@.B2G2@.C( 6. GE- .3.@D3FG2HA- 3FF3M CM.GE-C2N-B KM G3O2./ GE- H@AA@2B HFMCG3A 3C GE- A2GE@/F3DEM J3CO ，GE- CE3D-C ，C2N-C ，CD3H2./ 3.B -P-. H@JD@C2G2@.C @I GE- D3FG2HA-C H3. K- H@.GF@AA-B -3C2AM( QM GE-C- D3F3J-G-FC 3.B GE- H@FF-CD@.B2./ -.P2F@.J-.G3A J-B23 ，DF@D-FG2-C @I GE- 3FF3M H3. K- G;.-B -II-HG2P-AM ，LE2HE 3AC@ I3H2A2G3G-C GE- F-C-3FHE @. C2N-0B-D-.B-.G DF@D-FG2-C 3.B E3C D@G-.G23A 3DDA2H3G2@.C 2. P3F2@;C .3.@0B-P2H-C L2GE CD-H23A I;.HG2@.C( 6. GE2C 3FG2HA- ，GE- CM.GE-C2C DF@H-CC ，CGF;HG;F- ，CE3D- 3.B DF@D-FG2-C @I GE2C 3FF3M CMCG-J 3F- B-0 CHF2K-B 3.B I;G;F- DF@CD-HGC @I 3DDA2H3G2@.C 3F- 3AC@ DF-C-.G-B( 8+, 2$0-7 7 .3.@D3FG2HA- 3FF3M ，GL@0B2J-.C2@.3A H@AA@2B HFMCG3A A2GE@/F3DEM 组装体系中的颗粒往往大小不一，空间分布随机，如 图 ［# ］ ’! 引言 ’（3 ） 所示，整个体系的性质是一种平均效应，