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· 真 空 电 子 与 专 用 金 属 材 料
陶 瓷 一金 属 封 接 专 辑 ·
氮化铝陶瓷 Ti—Ag—Cu活性法焊接界面的微观结构
裴 静 ,高陇桥
(北京真空电子技术研究所 ,北京 100015)
TheInterfaceM icrostructureofTi—Ag-CuSolderedAlN Ceram ics
PEIJing。GAO Long—giao
(BeijingVcuum ElectronicsResearch Institute,Beijing 100015,China)
Abstract:TheA1N ceramicsweresolderedwith metalizedA1203ceramicsbyTi—Ag—Cu active filler
metalprocess.ThesamplesweresolderedbyAg—CuafterbeingcoatedwithTill2,ordirectlybyTi—Ag—Cu
alloy.Themicrostructuresoftheinterfacessolderedbythesetwodifferentmethodswerecompared.
Keywords:A1N,Ti—Ag—Cuactivefillermetalprocess,microstructure
摘要 :对氮化铝陶瓷 Ti—Ag-Cu活性法焊接界面的微观结构进行 了研究 ,对 比了涂 TiHz后用 Ag—Cu焊接和直接用Ti—Ag
Cu合金箔焊接两种方法 的焊接界面 的微观结构 。
关键词 :A1N 陶瓷;Ti—Ag—Cu活性法 ;微观结构
中图分类号 :TB756 文献标识码 :A 文章编号 :1002--8935(2012)04--0024--04
活性法陶瓷一金属封接是把活性金属粉 (如 Ti、 l 实验
zr等)和能与其在较低温度下形成合金的金属焊料 1.1 实验方法
(如 Ag、Cu、Ni、Ag—Cu等)一起放置于陶瓷和金属 1.1.1 用两种方法引入活性金属 Ti
件之 间,在真空或惰性气氛中加热熔化后而得到的 (1)将氢化钛粉与硝棉和醋酸丁酯配成膏剂 ,充
一 种牢固、气密封接。活性封接的方法很多,有 Ti— 分混合均匀后涂在氮化铝瓷片的表面,在涂好膏剂
Cu、Ti—Ni及 Ti—Ag—Cu法等。由于 Ti—Ag-Cu法封 的氮化铝陶瓷与用 Mo—Mn法金属化后的 95氧化
接温度低 、成品率高、工艺易于掌握 ,因而 Ti—Ag—Cu 铝瓷抗拉件间夹以Ag—Cu焊料进行焊接 。
法在活性封接 中应用最为广泛L1]。 (2)将 Ti—Ag-Cu活性合金箔夹在氮化铝瓷片
活性封接随 Ti金属形态和与焊料组合方式 的 和用 Mo—Mn法金属化后 的 95氧化铝瓷抗拉件之
不 同而有多种方法 ,如涂 Ti粉膏剂 ;Ti箔被包裹在 间进行焊接 。
两片常规焊料之间;氢化钛粉和常规焊料粉的混合 氮化铝瓷片与 95氧化铝瓷抗拉件的组件如图
物 ;Ag、Cu、Ti粉 (或 Ag—Cu合金粉和 Ti粉)的混合 1所示 。
物 ;夹 Ti芯丝的复合 Ti—Ag—Cu丝焊料丝,熔制成 焊接后 的组件进行抗拉强度测试 ,并取断面样
的Ti—Ag—Ti合金等,这些方法各有其特点 。由于高
温下 Tillz粉分解后可得新生态 Ti,这对于非氧化
物陶瓷的化学反应更为有利,因而 目前用 Till 粉
O标准抗拉件
来代替 Ti粉在生产线上使用也 日益增多。本文分 ,一 Al
别采用涂 Till 粉膏剂,直接用 Ti—Ag—Cu活性合金
两种方法进 A1N陶瓷与 95氧化铝抗拉件 的焊接试
验 ,利用扫描电镜 (SEM)分析 了氮化
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