多晶硅太阳电池低温退火增效研究-南昌大学-光伏研究院.PDFVIP

多晶硅片材料性质及热过程影响的 深能级瞬态谱（DLTS ）研究 姜美芳 周浪 南昌大学 太阳能光伏学院 lzhou@ncu.edu.cn 报告提纲 1 DLTS基本原理 2 DLTS的发展及其在晶体硅材料 性能研究中的应用 3 本研究组初步工作介绍 DLTS基本原理 DLTS测试的基本思想： Pn结或肖特基结上，先施加一个反向偏压V , 再 R 外加正向脉冲电压V ( ︱V ︱ ︱V ︱),则在脉冲 P R P 期间耗尽层变窄，有一段变为中性区 如果存在深能级陷阱,那么它将被电子（空穴） 填充，脉冲过后，耗尽层逐渐变宽，陷阱中心上 被束缚的载流子发生热发射过程 通过测试电容的瞬态变化，确定深能级中心的 能级、俘获截面和浓度 DLTS测试的基本原理： 被电子填充的陷阱中心的体密度N 的变化 t ① 对于n型半导体中的多数载流子陷阱，c c ， n p e e ，则 n p ② 在热力学平衡条件下，有 ③ 电子发射速率与温度的关系(Arrhenius公式)  ④ 2 测量一系列的（T ,e）值， 2 做ln(e/T )~1/KT曲线,斜率E 为能级位置,截距ln(γ σ n;p) E-陷阱中心上电子/空穴的激活能(E=E-E ) C T 是陷阱对电子的俘获截面 常数 ⑤ ⑥ 对e 进行微分，则可以得到e max 的值为 n n 改变t 和t ，得到不同的率窗值。进行DLTS测量，首 1 2 先选定率窗值，改变样品的温度使深中心的载流子发 射几率发生变化，当输出信号在某个温度下达到极大 值时，表明此温度下的发射几率与率窗值相等。 DLTS的发展及其在晶体硅材料 性能研究中的应用 