控制氧化层对双势垒纳米硅浮栅存储结构性能的影响!-物理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 (’ ’ $$@ ’ ， ， ， ,MB 3(’ UM 3’ VIBN $$@ （ ） #$$$/%$$$@(’ $’ ::@/$( P+QP )RS0T+P 0TUT+P !$$@ +E1? 3 )ENL 3 0M6 3 控制氧化层对双势垒纳米硅浮栅 存储结构性能的影响! 丁宏林 刘 奎 王 祥 方忠慧 黄 健 余林蔚 李 伟 黄信凡 陈坤基! （南京大学物理系，固体微结构国家重点实验室，南京 #$$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $$’ ## #$ $$’ # ( 在等离子体增强化学气相沉积（ ）系统中，利用逐层淀积非晶硅（ ）和等离子体氧化相结合的方法制 )*+,- ./01 备二氧化硅（ ）介质层 电容电压（ ）和电导电压（ ）测量结果表明：利用该方法在低温（ ）条件下制备 012 3 !/ #/ ($ 4 ## 8 ## 8 8 # 的 介质层均匀致密，其固定氧化物电荷和界面态密度分别为 和 · ，击穿场强达 012 % 5 #$ 67 5 #$ 67 9, : ; =, 67，与热氧化形成的 介质层的性质相当 将该 介质层作为控制氧化层应用在双势垒纳米硅（ ）浮 012 3 012 ?6/01 栅存储结构中，通过调节控制氧化层的厚度，有效阻止栅电极与?6/01 之间的电荷交换，延长存储时间，使存储性能 得到明显改善3 关键词：等离子体氧化，二氧化硅，纳米硅，控制氧化层 ： ， ， !## ’( ’$ @#’$ 重要的控制介质层却研究得很少3 我们发现，如果控 #; 引 言 制介质层较薄，由于隧穿效应，在?6/01 浮栅和栅电 极之间将形成电荷传输的通道，降低电荷存储时间； 随着信息社会的迅猛发展，信息的存储显得至