半导体硅重构表面及其相变动力学的研究进展! - 《物理》杂志.pdfVIP

研究快讯 半导体硅重构表面及其相变动力学的研究进展! 徐野川- - 刘邦贵4 （中国科学院物理研究所- 北京- 511 531 ） 摘- 要- - 简单介绍了文章作者在半导体硅重构表面及其相变动力学研究方面的进展 近期6) （555 ）（/ 7 / ）8（5 7 5）相变的实验研究发现，将温度升高到相变温度以上时，/ 7 / 岛面积以恒定的衰减速率随时间减小至零，且初始面积 越大的岛这个衰减速率就越大 文章作者分析了大量的实验事实，由此提出了一个双速相场模型来解释这个重要而 令人困惑的现象 模型重点是：在相变过程中，/ 7 / 关键结构变化较快，随后的层错消解过程要慢得多 这个模型完美 地解释了相关实验现象，说明该模型抓住了关键物理要素，这种相场方法也可以用于其他半导体表面相变研究 关键词- - 半导体，表面重构，相变，硅 !#$% ’($%)*’+$*(, )+’-.$() ., /0.)( *’.)*%) 9: ;8=!’*,- - ?: @*,A8B’)4 （!#$%$$’ () *+,#%-# ，.+%’#’ /-01’2, () 3-%’-’# ，4’%5 %6 511 531 ，.+%0 ） 12)*’.$*3 3 C #DE, * FD)G D#HD *FH’ H’D DE*D+! H, E)()+H, D+H,ED’+I E’DG*+E *,I #!*E D*,E))H,E J+, K#D)L,E H, ! 6) （555 ）（/ 7 / ）8（5 7 5 ）#!*E D*,E))H, E!H%I !* %!, ! L#D*’D )E D*)EI *FHM ! +D))+*( L#D*’D ，* / 7 / )E(*,I I+*NE H ODH * * +H,E*, *D* I+*N D* %!)+! ),+D*EE %)! ! E)O HG ! ),))*( *D* @*EI H, *, *,*(NE)E HG ! K#D)L,*( DE’(E % #DH#HE * %H8E#I #!*E8G)(I LHI( H K#(*), !)E )L#HD*, F’ #’OO(),A #!,HL,H, P! QN #H), HG H’D LHI( )E !* ! EE,)*( / 7 / ED’+’DE +!*,A G*E I’D),A ! #!*E D*,E))H, %!)( D*E’D HG ! E*+Q),A G*’(E *QE E’FE*,)*((N LHD )L R’D LHI8 ( E*)EG*+HD)(N K#(*),E ! K#D)L,*( #!,HL,* ，%!)+! E!H%E !* ! LHI( +*#’DE ! L*), #!NE)+E *,I !* !)E #!*E8G)(I L!HI )E * AHHI *##DH*+! GHD E’IN),A EL)+H,I’+HD E’DG*+ #!*E D*,E))H,E 4(56%’,)3 3 EL)+H,I’+HD ，E’DG*+ D+H,ED’+)H, ，#!*E D*,E))H, ，E)()+H, - - 半导体硅是现代计算机技术的核心，是半导体 （(H% ,DAN (+DH, I)GGD*+)H, ，YY\ ）实验发现 ［0 ］ 最重要的代表，因而被长期、广泛地研究 技术手段 的 ，它包括的原子众多，结构非常复杂，直到0U 年 的发展使半导体表面在原子水平上的物理和化学特 以后P*Q*N*,*A)［. ］等人才通过系统的透射电子衍射 性得以清楚地表征，这也使人们认识了多种多样的 （D*,EL)EE)H, D(+DH, I)GGD*+)H, ，PY\ ）实验提出了描 半导体重构表面［5］ 把一个半导体按一个平面切