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2017-09-03 发布于天津
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高k介质纳米mosfet栅电流和电容模型

　第 26卷　第 6期南京邮电大学学报 ( 自然科学版 ) Vo l. 26　No. 6 ( ) 　　2006年 12 月 Journal of N anj ing Un iversity of Po sts and Telecommun ication s N atu ral Science D ec. 2006 　　文章编号 :(2006) 高 k介质纳米 MO SFET栅电流和电容模型 1, 3 2 3 王　伟 ,孙建平 ,顾　宁 1南京邮电大学光电工程学院 , 江苏南京　2 10003 2 美国密西根大学电气工程和计算机科学系 ,美国密西根州安娜堡 3东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室 ,江苏南京　2 10096 ( ) 摘　要 :介绍了一种纳米 MO SFET 场效应管栅电流和电容的统一模型 ,该模型基于 SchrdingerPoisson 方程自洽全量子数值解 ,特别适用于高 k 栅介质和多层高 k栅介质纳米 MO SFET。运用该方法计算了各种结构和材料高 k介质的 MO SFET栅极电流 , 并进行了分析比较。模拟得出栅极电流和电容与实验结果符合。关键词 :高 k;栅电流 ;量子模型中图分类号 : TN 386　　　文献标识码 : A M odeling of Ga te Curren t and Capac itance for Nanosca le MO SFETs w ith H ighk Stacks 1 2 3 W ANG W e i , SUN J ian p ing , GU N ing 1College of Op toelectron ic Engineering, N anj ing Un iversity of Po sts and Telecommun ication s, N anj ing 2 10003, Ch ina 2 D ep artm ent of Electrical Engineering and Compu ter Science, The Un iversity of M ich igan , A nn A rbor, M I, U SA 3N ational L aboratory of Molecu lar and B iomolecu lar E lectron ic s, Southeast Un iversity, N anj ing 2 10096, Ch ina A b stract:A un ified app roach , p articu larly su itab le for evaluation of h ighk stack structu re s con sisting of m u lti p le layers of d ifferen t dielect