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jcs9n50f - 上海晶博电子有限公司
N 沟道增强型场效应晶体管
R N-CHANNEL MOSFET
JCS9N50F
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package
8 A
ID
500 V
VDSS
0.8 Ω
Rdson(@Vgs=10V)
Qg 59 nC
用途 APPLICATIONS
高频开关电源 High efficiency switch
电子镇流器 mode power supplies
UPS 电源 Electronic lamp ballasts
based on half bridge
UPS
产品特性 FEATURES
低栅极电荷 Low gate charge
B (B 典型值 35pF)
低Crss Low CB rss (typical 35pF )B
开关速度快 Fast switching
产品全部经过雪崩测试 100% avalanche tested
高抗 dv/dt 能力 Improved dv/dt capability
RoHS 产品 RoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订 货 型 号 印 记 封 装 无卤素 包 装 器件重量
Order codes Marking Package Halogen Free Packaging Device Weight
JCS9N50F-O-F-N-B JCS9N50F TO-220MF 否 NO 条管 Tube 2.20 g(typ)
版本:201006A 1/8
R JCS9N50F
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
数 值
项 目 符 号
Value 单 位
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