金属-二氧化硅-半导体（mos）结构的电子辐照效应 - 红外技术.pdfVIP

第30 卷 第4 期 红 外 技 术 Vol.30 No.4 2008 年4 月 Infrared Technology Apr. 2008 〈材料与器件〉 金属-二氧化硅-半导体 （MOS ）结构的电子辐照效应 张建新，刘俊星，李洪武 （嘉兴学院机电工程学院，浙江 嘉兴 314001 ） 摘要：金属-二氧化硅-半导体（MOS ）结构对于SiO -Si界面非常敏感，能够方便地反映出氧化层电荷、 2 界面态密度等参数。为了研究MOS结构的电子辐照效应，采取了能量为0.8 MeV ，辐照剂量范围为2 13 14 －2 ×10 ～1×10 cm 的电子束作为辐照源。实验发现，MOS结构经电子辐照后，在SiO -Si界面处引 2 入界面态，并且在二氧化硅内部积累正电荷。通过对MOS结构在电子辐照前后高、低频C-V曲线的测 试，测试出辐照在氧化层引入的界面态密度达到了 1014 cm－2eV－1 ，而积累的正电荷面密度达到了 12 －2 10 cm 。同时得到了界面态密度和积累电荷密度与辐照剂量的关系。 关键词：MOS 结构；电子辐照；界面态密度；氧化层电荷 中图分类号：TN315＋.2 文献标识码：A 文章编号：1001-8891(2008)04-0234-04 Radiation Effect of MOS Structure Irradiated by Electron ZHANG Jian-xin ，LIU Jun-xing ，LI Hong-wu （Mechanical and Electrical Engineering college, Jiaxing University, Jiaxing Zhejiang 314001, China ） Abstract ：Metal-oxide-semiconductor (MOS) structure is highly sensitive to SiO -Si interface. It will reflect 2 the parameters such as interface density and oxide layer charge expediently. For the sake of researching of radiation effect of MOS structure irradiated by electron, we adopted 0.8 MeV electron at dosage between 2 × 13 －2 14 －2 10 cm ～1×10 cm as radiation source respectively. We found that electron radiation will induce interface density at SiO2 -Si interface, and accumulate positive charge into SiO2 film. According to comparison with C- V curve of MOS structure a