sio 2沟槽晶圆片在快速热处理中的温度分布 - journal of .pdfVIP

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2017-09-03 发布于天津
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sio 2沟槽晶圆片在快速热处理中的温度分布 - journal of

第34 卷第2 期东北大学学报 ( 自然科学版 ) Vo l． 34 ，No ． 2 2 0 13 年 2 月 Journal of Northeastern University ( Natural Science) Feb． 2 0 1 3 SiO2 沟槽晶圆片在快速热处理中的温度分布 1 1，2 王爱华，李立亚 (1．， 110819 ;2 ．， 400030) 东北大学材料与冶金学院辽宁沈阳重庆大学动力工程学院重庆 : ，，摘要采用传导与辐射耦合传热模型对快速热处理工艺中晶圆片内传热过程进行了数值模拟研究 SiO ． : SiO ，了 2 沟槽宽度和沟槽排列密度对晶圆片温度分布的影响结果表明在 2 沟槽宽度相同的情况下沟槽，，．排列密度越大晶圆片总的温度水平越高但对温度均匀性几乎没有影响这是由于沟槽排列密度增大使得晶 SiO ，，，圆片表面中 2 所占份额增加晶圆片表面总的吸收系数增大吸收的入射辐射能增多从而使温度水平提． SiO ，高在 2 沟槽排列密度相同的条件下沟槽宽度的变化对于晶圆片总的温度水平和温度均匀性几乎没有影响． : ; ; ; ; 关键词图案晶圆片快速热处理辐射传热温度分布热传输特性中图分类号:O 551. 2 文献标志码:A 文章编号:1005 － 3026 (2013)02 － 0248 － 04 Temperature Distribution of SiO2 Trench Wafer in Rapid Thermal Process WANG Ai-hua1 ，LI Li-ya1，2 (1． School of M aterials ＆ M etallurgy ，Northeastern University ，Shenyang 110819 ，China ;2 ． College of Pow er Engineering ，Chongqing University ，Chongqing 400030 ，China． Corresponding author :WANG Ai-hua ，E-mail : w angaihua1976@ yahoo ． com ． cn) Abstract :The heat transfer of a w afer in rapid thermal process w as simulated using a model combining heat conduction w ith heat radiation to investigate the effects of