氧分压对nio x 薄膜微结构和电阻开关特性的影响① - 西南大学学报.pdf

( ) 第 卷第 期 西 南 大 学 学报 自然科学版 年 月 ３８ １ 　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　２０１６ １ ( ) Vol３８　No１ JournalofSouthwestUniversit NaturalScienceEdition Jan　２０１６ y : / DOI １０１３７１８ cnkixdzk２０１６０１０２１ j 氧分压对NiOx 薄膜微结构和 电阻开关特性的影响① 王瑞雪,　霍进迁,　张祎杨,　朱华星,　邱晓燕 , 西南大学 物理科学与技术学院 重庆 ４００７１５ : ( ) , 摘要 利用磁控溅射方法在镀 的 衬底上沉积制备 薄膜 研究了氧分压对薄膜微结构和电阻开关特 Pt Si１００ NiOx : , [ ] , 性的影响 微结构观测分析结果表明 在 氧分压下 可获得沿 晶向择优生长的 多晶薄膜 薄膜表 ． ２０％ ２００ NiOx , , 面平整致密 晶粒平均直径约为 垂直衬底生长形成柱状晶粒结构 磁性测试结果显示薄膜具有典型的铁 １３８nm ． , 磁性磁化曲线 但薄膜饱和磁矩随着氧分压增加急剧降低 电学测试结果表明 氧分压氛围下沉积制备薄膜样 ． ２０％ : , / 品的电流 电压曲线呈现出典型的双极性电阻开关特性 在 读取电压下 可获得大于 的高 低电阻态阻 －０６V １０ : ; , 值比 指数定律拟合电流 电压实验曲线表明 薄膜低电阻态漏电流为欧姆接触电导 而薄膜处于高电阻态时 低电 ． , 压下的漏电流仍以欧姆接触电导为主 高电压下则以缺陷主导的空间电荷限制电流为主． : ; ; 关 键 词 薄膜 微结构 电阻开关特性 　 　 NiOx 中图分类号: ＋ 文献标志码: 文章编号: ( ) O４７２ ４　　　　 A　　　　 １６７３ ９８６８２０１６０１ ０１３３ ０５ , , ,