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各国半导体的命名法则 一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 字 母 A B C D 二极管（材料） N型锗材料 P型锗材料 N型硅材料 P 型硅材料 三极管（材料） PNP 型锗材料 NPN型锗材料 PNP 型硅材料 NPN 型硅材料 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。 A 高频大功率管（f3MHz,Pc1W) BT 半导体特殊器件 B 雪崩管 CS 场效应管 C 参量管 FH 复合管 D 低频大功率管（f3MHz,Pc1W) JG 激光器件 G 高频小功率管（f3MHz,Pc1W) PIN PIN型管 J 阶跃恢复管 U 光电器件 K 开关管 V 微波管 L 整流堆 W 稳压管 N 阻尼管 X 低频小功率管(F3MHz,Pc1W) P 普通管 Y 体效应器件 S 隧道管 Z 整流管 T 半导体晶闸管（可控整流器） 第四部分：用数字表示序号，无实际意义。 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如：3DG6表示NPN 型硅材料高频三极管 3DD15表示NPN型硅低频大功率三极管 注：场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、 五部分。 注：PIN 是指在P 和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层,由P-I-N 构成的二极管就是PIN 二极管。它主要用在RF 领域，用作RF Switch和RF 保护电路，也 有用做Photo-Diode。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号 意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。 数字 电极数目或类型 0 光电（光敏）二极管、三极管及上述器件的组合管 1 二极管 2 三极或具有两个PN结的其它器件 3 具有四个有效电极或具有三个PN结的其它器件 其它数字 依此类推 第二部分：用“S”表示已在JEIA（日本电子工业协会）注册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。 字母 极性类型 字母 极性类型 A PNP型高频管 H N基极单结晶体管 B PNP型低频管 J P沟道场效应管 C NPN型高频管 K N沟道场效应管 D NPN型低频管 M 双向可控硅 F P控制极可控硅 G N控制极可控硅 第四部分：用数字表示在JEIA（日本电子工业协会）登记的顺序号。两位以上的整数。从“10” 开始，不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。 第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F 表示这一器件是 原型号产品的改进产品。 对于三极管，第一部分和第二部分组成的“2S” 通常被省略掉，只留三、四、五这三个部分。 例如：2SA1015通常被印成