半导体制造业用微纳米碳化硅粉体制备工艺研究.pdfVIP

· 88 · 材料导报 B：研究篇 2016年 7月(B)第30卷第 7期 半导体制造业用微纳米碳化硅粉体制备工艺研究 铁 健 ，铁生年 (青海大学新能源光伏产业研究中心 ，西宁 810016) 摘要 采用水流分级和高能纳米冲击磨对原始SiC粉料进行微纳米粉体加工。研究结果表明：水流分级得到 纯度98．42 、中位粒径0．404 m的SiC粉体，比表面积由0．8879m2／g提高到8．0321m2／g；高能冲击磨得到纯度 95．5 、中位粒径 0．257u,m的SiC粉体，比表面积 由0．8879m2／g提高到8．2773m2／g，SiC的粒径及比表面积达到 半导体制造业用微纳米碳化硅粉体的技术标准。纯度分析表明碳化硅粉体的水流分级未引入杂质，化学成分基本不 变；SiC粉体冲击磨加工纯度下降，其他杂质含量偏高。粉体形貌分析表明原始 SiC粉料形貌为非球形，粒度分布不 均匀，水流分级和冲击磨加工碳化硅粉体形貌为非球形，粒度分布较加工前更均匀。 关键词 微纳米碳化硅粉体 粒径分布 水流分级 冲击磨 中图分类号 ：TQ163．4 文献标识码：A DOI：10．11896／j．issn．1005—023X．2016．14．020 PreparationofUltrafineSiliconCarbidePowderforSemiconductorManufacturing TIEJian，TIEShengnian (NewEnergy(Photovoltaic)IndustryResearchCenter，QinghaiUniversity，Xining81OO16) Abstract W aterflow classificationandhighenergynanoimpactgrindingwereadoptedformicro-nanopowder processingoforiginalSiCpowder．TheresultsshowedthattheSiCpowderobtainedfromwaterflow classificationhad apurityof98．42 ，amedianparticlesizeof0．404um，andanincreaseofspecificsurfaceareafrom0．8879m2／gto 8．o321m2／g．TheSiCpowderobtainedfromhighenergynanoimpactgrindinghadapurityof95．5 ，amedianparti— clesizeof0．257um，andanincreaseofspecificsurfaceareafrom0．8879m2／gtO8．2773m2／g．Theparticlesizeand specificsurfaceareaofthepreparedSiCpowderreachedthetechnicalstandardsofmicro-nanoSiCpowderforsemicon— ductormanufacturingindustry．TheanalysisofthepurityofSiC powderillustratedthatnoimpuritywouldbeintro— ducedbywaterflow classificationandthechemicalcomponentofSiC powderkeptunchanged，whilethepurityofSiC powderdecreasedafterimpactgrindingprocessandimpuritycontentincreased．Themorphologyanalysisillustrated thatthemorphologyoforiginalSiCpowderwasnon-sphericalwithawidesizedistribution，andtheSiCpow