ZnO纳米材料的p型掺杂研究进展.pdfVIP

· 44 · 材料导报 ：综述篇 2010年 8月(上)第24卷第 8期 ZnO纳米材料的P型掺杂研究进展 唐海平 。，马 权 ，何海平。，叶志镇 ，ParkJi-Yong。 (1 宝鸡文理学院机电工程系，宝鸡 721007；2 浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州310027； 3 韩国亚洲大学能源研究所，水原 443749) 摘要 随着近年来各种形貌ZnO纳米材料的生长及ZnO纳米器件的研究，ZnO纳米材料的P型掺杂逐渐成 为研究的重点之一。主要介绍了ZnO纳米材料的P型掺杂及其器件研究进展 ，简要讨论了当前掺杂研究的局限，展 望了今后 的发展方 向。 关键词 ZnO 纳米材料 P型掺杂 ResearchProgressinthePtypeDopingofZnO Nanomaterials TANGHaiping ，MA Quan，HEHaiping ，YEZhizhen。，ParkJi—Yong。 (1 DepartmentofMechanicalandElectricalEngineering，BaojiUniversityofArtsandSciences，Baoji721007； 2 StateKeyI．aboratoryofSiliconMaterials，ZhejingUniversity，Hangzhou310027；3 DivisionofEnergy SystemsResearch，AjOUUniversity，Suwon443749) Abstract Recenhy，manyadvanceshavebeenobtainedrelatedtothegrowthofZnO nanostructureswithdif- ferentmorphologyandthefabricationofZnO nanodevices．Theresearchonthep-typedopingofZnO nanomaterials hasbecomeahighlight．Theresearchprogressinthep-typedopingandthep-typenanodevicesofZnO nanomaterialsis summarized．Moreover，thelimitationofthepresentresearchesarediscussedandthepossiblefuturedevelopmentsare given． Keywords ZnO，nanomaterials，p-typedoping 作为第三代半导体材料之一的ZnO是 Ⅱ一Ⅵ族直接宽带 性能良好 的n型和P型ZnO纳米材料 。高质量 的n型ZnO 隙化合物半导体 ，具有禁带宽、激子束缚能高、无毒、原料易 薄膜很容易实现，因此相对来说n型ZnO纳米材料也较容易 得、成本低、抗辐射能力强和良好的机 电耦合性能，被广泛应 实现，可供选择的施主掺杂元素很多，包括Ⅲ族元素、Ⅳ族元 用于太阳能电池 、声表面波器件 、液晶显示 、气敏器件、压敏 素和 Ⅶ族元素，最 常用 的为 Ⅲ族元素 A1[1 、InD6-18]、 器件等_l1]。ZnO最具潜力的应用是在光电器件领域 。ZnO GaE 。。等，特别是 A1，有很多研究小组 已经进行了这方面的 的禁带宽度为 3．37eV，激子结合能为 60meV，远高于其它宽 研究。但 ZnO的P型掺杂不管是对于薄膜材料还是纳米材 禁带半导体材料，如 GaN为 25meV。ZnO激子在室温下也 料 ，其 固有的极性仍然是一个很大的挑战。本文主要综述了 是稳定的，可 以实现室温或更高温度下高效的激子受激发 ZnO纳米材料的P型掺杂及器件研究现状。 光，所以，ZnO在短波长光电器件领域有着极大的应用潜力，