ZnO缓冲层退火温度对TiO2：Eu／ZnO薄膜光致发光性能的影响.pdfVIP

ZnO缓冲层退火温度对TiO ：Eu／ZnO薄膜光致发光性能的影响／王丹红等 ·9 · ZnO缓冲层退火温度对 TiO2：Eu／znO薄膜光致发光性能的影响 王丹红，赵小如 ，谢海燕，刘金铭 ，白晓军，陈长乐 (西北工业大学理学院空间应用物理与化学教育部重点实验室，西安 710129) 摘要 采用溶胶一凝胶法在普通载玻片上制备出以ZnO为缓冲层、稀土Eu抖掺杂的TiO2薄膜，研究了ZnO 缓冲层退火温度对TiO2：Eu薄膜的光致发光性能以及晶体结构的影响。结果表明，随着ZnO层退火温度的升高， 薄膜的PL谱增强，在 500~C退火时达到最强；XRD显示，Ti()2：Eu计／ZnO薄膜 中有很强的ZnO(002)衍射峰，但是 Ti02的(1O1)衍射峰却很微弱，且 zn0在 500℃退火时Ti()2的(101)衍射峰最弱。 关键词 ZnO缓冲层 溶胶 凝胶法 光致发光 氧化钛 Eu掺杂 中图分类号 ：0484．4 文献标识码：A InfluenceofAnnealingTemperatureofZnO BufferLayeronthePhotoluminescence PropertyofTiO2：Eu／ZnOThinFilmsbySol-gelProcess WANGDanhong，ZHAOXiaoru，XIEHaiyan，LIUJinming，BAIXiaojun，CHENChangle (KeyLaboratoryofSpaceAppliedPhysicsandChemistry，MinistryofEducation，SchoolofScience，Northwestern PolytechnicalUniversity。Xi’an710129) Abstract A seriesofTiO2：Eu抖 filmswithZnO bufferonglasseswerepreparedbysol-gelprocess，andthe influenceofannealingtemperaturefortheZnO bufferlayeronthephotoluminescencepropertyandthecrystalstruc— turaloftheTiO，：Eu／ZnOthinfilmswereinvestigated．TheresultsshowedthatthePLintensitiesofthefilmsin— creasedwithincreasingoftheannealingtemperatureoftheZnO bufferlayer，andreachedthemaximum at500。C；the resultofX-raydiffractionrevealedthatthe(002)diffractionpeaksofZnOwereverystrong，whilethe(101)diffrac— tionpeaksofTi()2werequitelow，andgotthelowestat500℃． Keywords ZnO bufferlayer，sol—gel，photoluminescence，Ti02，Eu-doped 近年来，发光薄膜由于在高分辨率器件如平板显示和场 片上制备了以ZnO为缓冲层的TiO 薄膜，发现随着 ZnO层 发射显示上的应用，越来越受到人们的关注。与传统的发光 数的增加，薄膜的金红石相结晶越好，表面也越平滑。 粉制作的显示屏相比，发光薄膜在对比度、分辨率、热传导、 本实验采用溶胶一凝胶法在玻璃基片上制备了以ZnO为 均匀性、与基底的附着性、释气速率等方面都显示出较强的 缓冲层、Eu。。一掺杂的TiO。薄膜，研究了ZnO缓冲层的退火 优越性_1]。TiO 是一种性能优越的宽带隙半导体(3．2eV)， 温度对薄膜晶体结构和光致发光性能的影响。 具有优 良的光学特性、热稳定性、化学稳定性，良好的力学性