Si量子点溅射生长的影响.pdfVIP

: / 刘鹏强 等 诱导层温度对 量子点溅射生长的影响 C GeSi ０５０５３ 文章编号: ( ) １００１Ｇ９７３１２０１４０５Ｇ０５０５３Ｇ０４ 诱导层温度对 / 量子点溅射生长的影响∗ C GeSi , , , , 刘鹏强 王 茺 周 曦 杨 杰 杨 宇 　 　 　 　 ( , , ) 云南大学 工程技术研究院 光电信息材料研究所 昆明 ６５００９１ : , . ( ) 摘 要 采用离子束溅射技术 通过改变诱导量子点 制备样品 型 基片采用标准的 方法 　 　 n Si１００ Shiraki , ( ) , 形成的 层生长温度 在 型 衬底上自组装生 进行清洗 然后在 酸溶液中完成对 片表面的氢 C n Si１００ HF Si . . 长了一系列 量子点 利用 和 光谱对 钝化 Ge AFM Raman －４ . , , , 样品的表面形貌和结构进行了表征 实验结果表明 生长过程中 本底真空度优于 ３．０×１０ Pa溅射 －２ 当 层的温度从 升高到 时, 量子点的 真空度为 .样品都是在 下生长 C ６００℃ ７００℃ Ge ２．０×１０ Pa ７００℃ Si , ; , , , ; 密度逐渐降低 且结晶性变差 此时 量子点中的 组 缓冲层 生长厚度约 生长完后保持 然 Si ５０nm １０min . , , 分升高 当 层的生长温度从 升高到 过 后进行 层的生长 层生长厚度约为 保温 C ７００℃ ８００℃ C C ０．０５nm ５ , , ; ;