SiCp／Cu电子封装材料研究进展.pdfVIP

· l30 · 材料导报A：综述篇 2013年 10月(上)第27卷第10期 SiCp／Cu电子封装材料研究进展 刘 猛，李 顺，白书欣，赵 恂，熊德赣 (国防科学技术大学航天科学与工程学院，长沙 410073) 摘要 详细介绍了SiC ／Cu电子封装材料的主要制备方法及应用情况，目前国内外SiG ／Cu电子封装材料的 主要制备方法有粉末冶金法、放电等离子烧结法、无压浸渗法、压力浸渗法和反应熔渗法，其中包覆粉末热压烧结法 和压力浸渗法是 目前研发应用较广泛的两种方法。分析 了SiC与Cu之间的界面反应机理，并指明SiCD／Cu电子封 装材料的制备要解决的主要问题就是在SiC与cu之间设置界面阻挡层，进而详细阐述了SiCD／Cu电子封装材料主 要界面改性方法及其调控效果，并指出Ifl前应用最好的两种方法是物理气相沉积法和化学气相沉积法。 关键词 电子封装材料 SiC ／Cu 制备方法 界面反应 界面调控 中图分类号：TB333 文献标识码：A ProgressinSiCp／CuElectronicPackagingMaterials LIU M eng，LIShun，BAIShuxin，ZHAO Xun，XIONG Degan (AerospaceScienceandEngineeringCollege，NationalUniversityofDefenseTechnology，Changsha410073) Abstract ThemainpreparationmethodsandtheirapplicationstatusofSiCp／Cuelectronicpackagingcomlx：r- sitesareintroducedindetail．Themainpreparationmethodsbothathomeandabroadincludepowdermetallurgyme- thod，sparkplasmasinteringmethod，pressurelessinfiltrationmethod，pressureinfiltrationmethodandreactioninfil— trationmethod，inwhichthepowdermetallurgymethodandthepressureinfiltrationmethodarewidilyusedatpr-e sent．Themechanism oftheinterfacialreactionbetweenSiCandCuareanalyzed，anditiSpointedoutthattheprinci— palproblemtoprepareSiCp／CuelectronicpackagingcompositesistorestraintheinterfacareactionbetweenSiCand CU．Therefore，thecontrollingmethodsoftheinterfacialreactionandtheireffectsarediscussedindetail．Andthe analysisindicatedthatthephysicalvaporousdepositionmethodandthechemicalvaporousdepositonmethodarethe besttWOmethods． Keywords electronicpackagingmaterial，SiCD／Cu，preparationmethod，interfacialreaction，inteHacialdesign Si。／A1相 比，理论上碳化硅颗粒增强铜基复合材料 (SiCp／ 0 引言 Cu)具有更高的热导率、更低的热膨胀系数、更好的耐温性能 现代集成