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5 8088系统总线与存储器 2008级 讲稿 2010年9月 8088的系统总线 系统复位 复位信号 复位时序 复位状态 系统总线ISA定义 总线定义 总线信号 系统复位 复位RESET信号线 手动信号 信号电平要求 复位寄存器状态 所有寄存器清零,只有CS复位 指令队列空 CS:IP=FFFF:0000 系统复位 复位总线时序 必须要四时钟周期才能完成复位 系统总线ISA PC/XT计算机系统总线 8位总线扩展槽 31对62引脚,AB槽 PC/AT总线,增加18对,CD槽 ISA工业标准结构 ISA特点 采用单总线结构,数据总线最高16位 采用独立请求式的总线裁决 数据传输是同步传送 总线时钟是系统主板频率的1/8 总线引脚与定义 地址线A19-A0 数据线D7-0 控制线(21根) ~AEN ALE ~ IOR, ~ IOW, ~ MEMR, ~ MEMW IRQ2-IRQ7 DRQ1-DRQ3,DACK1-DACK3 RESET DRV,RESERVE,~REFRSH, T/C 状态线(2根) I/0 CHCK I/O CHRDY 时钟电源线(8根) OSC,CLK +12V,-12V,+5V,-5V,GND 3 存储器技术 3.1 存储器技术概述 3.2 RAM存储器结构与连接 3.2.1 3.2.1 位扩展 3.2.2 字扩展 3.2.3 字位同时扩展 存储器的分类与结构 存储器 存储器(Memory)是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。 计算机中的全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。 存储器的存储介质,目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元,它可存储一个二进制代码。 存储器的分类 按存储介质分 半导体存储器:用半导体器件组成的存储器。 磁表面存储器:用磁性材料做成的存储器。 按存储方式分 随机存储器:任何存储单元的内容都能被随机存取,且存取时间和存储单元的物理位置无关。 顺序存储器:只能按某种顺序来存取,存取时间和存储单元的物理位置有关。 按存储器的读写功能分 只读存储器(ROM):存储的内容是固定不变的,只能读出而不能写入的半导体存储器。 随机读写存储器(RAM):既能读出又能写入的半导体存储器。 按信息的可保存性分 非永久记忆的存储器:断电后信息即消失的存储器。 永久记忆性存储器:断电后仍能保存信息的存储器。 存储器的分类 按存储器用途分 主存储器 辅助存储器 高速缓冲存储器 控制存储器等。 为了解决对存储器要求容量大,速度快,成本低三者之间的矛盾,目前通常采用多级存储器体系结构,即使用高速缓冲存储器、主存储器和外存储器。 半导体存储器的分类与结构 只读存储器 ROM分类与特点 掩膜ROM —— ROM 可编程ROM—— PROM(Programmable) 可擦除ROM——EPROM(Erase Programmable ) 闪速存储器——Flash Memory 半导体存储器的分类与结构 随机存储器RAM分类与特点 静态RAM——SRAM(Static) 8~64KB*8 动态RAM——DRAM(Dynamic) 64~256KB*1 集成组合RAM——IRAM(Integrated RAM) 扩展数据输出 EDO RAM——(Extant Data Output) 视频存储器 VRAM——(Video ) 同步动态存储器 SDRAM——(Synchronic Dynamic ) 双数据速率DDR SDRAM——(Double Data Rate) 总线式动态存储器 RD RAM(Rambus Dynamic ) 使用场合 SRAM和DRAM是存储器原理性结构; IRAM是微机系统或嵌入式系统使用芯片; RAM的结构与工作原理 静态RAM的特点 内部结构——存储单元处于双稳定状态; X选择/Y地址——对应一个存储单元地址; I/O数据——数据信息的读写操作; 静态RAM结构 地址——地址双译码交叉排列 数据——读写控制电路与三态输出缓冲 片选——控制端用于区别多个存储芯片; RAM的结构与工作原理 动态RAM的特点 存储单元——单管结构简单,用电容充电保持; 动态刷新——存储的数据处于暂态,保留2~8ms; 扩大容量——单位面积的存储单元多 动态RAM结构 地址——多路地址开关方式 数据——刷新数据,读写数据 RAM与系统总线连接 RAM电路 静态RAM芯片——2114 (1K*4) 地址线A9-0,数据线I/O4-1,控制线~CS,~WE RAM与系统总线连接

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