半导体量子点中强耦合激子的性质.PDFVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ２７ １０ 犞狅犾．２７ 犖狅．１０ 　 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００６ １０ 犆犎犐犖犈犛犈犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犗犮狋．２００６ 半导体量子点中强耦合激子的性质 ， ， 李志新１２ 肖景林２ 　 （ 河北科技师范学院数理系，秦皇岛 ） １ ０６６００４ 　 （ 内蒙古民族大学物理系，通辽 ） ２ ０２８０４３ 　 摘要：研究了抛物型半导体量子点中强耦合激子的性质 在有效质量近似下，采用线性组合算符和幺正变换的方 ． 法，导出了半导体量子点中重空穴激子的基态能量 在强耦合情况下讨论了量子点半径和受限强度对半导体量子 ． 点中激子基态能量的影响 以氯化铊（ ）半导体为例进行了数值计算 结果表明：在强耦合情况下，重空穴激子 ． 犜犾犆犾 ． 的基态能量随量子点半径的增大而减小，随量子点受限强度的增大而增大． 关键词：半导体量子点；激子；线性组合算符；强耦合 ： ； 犘犃犆犆 ６３２０ ７１３８ 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犗４６９ 犃 ０２５３４１７７２００６１０１７５５０４ 　　　 　　　 只适用于弱的电子 声子和空穴 声子耦合以及弱结   引言 合或大的激子半径的情况 格林函数法也只适合弱 １ ． 　 耦合和弱结合的系统，而且其过程和结果都非常复 在激子问题中，一类重要的问题就是讨论在极 杂，还有这两种方法都不能给出系统精确能量的上 化晶体中的瓦尼尔激子与 声子的相互作用 自 限，然而从理论上的观点出发，获得能量的上限是非 犔犗 ． ［］ 从 １ 在 年的关于极性半导体中激子 声 常重要的 一般来说变分的方法能给出能量的上限， 犎犪犽犲狀 １