p-通道装置之转移曲线.pptVIP

* 第六章 : 場效電晶體 Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. * Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. 場效電晶體(FET) 與 雙極性接面電晶體(BJT) 類似，且皆為一種 三端子裝置。 BJT 與 FET 主要差異： ?BJT 為 電流控制裝置 ( IC =βIB )；FET 為 電壓控制裝置 (ID 為VGS 函數 )。 ?BJT 分為 npn 及 pnp；FET 分為 n-通道 與 p-通道。 ?BJT 是一種 雙極性裝置 (導電電流由兩種電荷載子構成:電子與電洞)；FET 為單極性裝置 (n -通道 ,僅由電子傳導電流)。 FET 主要特性： ?具 高輸入阻抗，1MΩ~幾百MΩ。 ?FET 典型交流電壓增益 遠較 BJT 小。 ?FET 之 溫度穩定性 比 BJT 良好。 ?結構體積較小。 § 6-1 引言 * Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. § 6-1 引言 * 本章介紹 三種型式 的 FET： ? 接面場效電晶體 JFET–– Junction Field-Effect Transistor ? 金屬氧化物半導體場效電晶體 MOSFET –– Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor 又分為：空乏型 D-MOSFET –– Depletion MOSFET 增強型 E-MOSFET –– Enchancement MOSFE ? 金屬半導體場效電晶體 MESFET –– Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. § 6-2 JFET 之結構與特性 n-通道 JFET 基本結構： ? JFET 有 二種 類型 -- n-通道 及 p-通道 其中以 n-通道 更廣泛被使用。 ? JFET 具有 三個 端子 – 汲極(drain;D) 與 源極(source;S) 被連接在 n-通道 兩端。 閘極(gate;G)將兩側 p型材料連 接在一起。 * 歐姆接觸 汲極 源極 閘極 n-通道 空乏區 空乏區 註：空乏區 為缺乏自由載子的區域，無法導通電流。 Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Sad