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MOSFET参数理解及 MOSFET参数理解及 测试项目方法 测试项目方法 MOSFET 产品部 Peter 欢迎交流QQ511145925 MOSFET简要介绍 MOSFET简要介绍 MOSFET （Metal – Oxide - Semiconductor Field Effect Transistor) 金属-氧化物-半导体场效应晶体管。 MOSFET根据导电沟道形成机理可分为： 1、增强型 2、耗尽型 MOSFET根据导电载流子的带电极性可分为： 1、PMOS 2、NMOS MOSFET简要介绍 MOSFET简要介绍 MOS管结构及符号图　 (a) 内部结构断面示意图 (b) N沟道符号，P沟道符号 G ： 栅极 D ： 漏极 S ： 源极 G ： 栅极 D ： 漏极 S ： 源极 MOSFET 参数理解及测试方法 MOSFET 参数理解及测试方法 MOSFET参数很多，一般Datasheet 包含以下参数： 极限参数： VDS ：额定漏-源电压，此电压的大小由芯片设计决定。 VGS ：额定栅-源电压，此电压的大小由芯片设计决定。 ID ： 额定最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过 的最 大电流。场效应管的工作电流不应超过ID 。特定温度下，此电 流的大小由RDS （ON ）和封装形式决定，其计算公式如下： TJmax ：MOS 最大结点工作温度150℃ R θJC ：封装热阻（节点-外壳） TC ： Case 表面温度为25℃ 极限参数 极限参数 IDM ：最大脉冲漏源电流。我们通常取IDM=4 ×ID PD ：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗 散功率。 Tjmax ：MOS 最大结点工作温度150℃ R θJC ：封装热阻 TC ： Case 表面温度为25℃ Tj ：最大工作结温。通常为150 ℃ TSTG ：存储温度范围。通常为-55℃～150℃ 静态参数 静态参数 1. V(BR)DSS ：漏源（D-S）击穿电压，它具有正温度特性。 Test Condition ：VGS=0，ID=250uA 静态参数 静态参数 2. I 3. I DSS GSS 漏-源（D-S）漏电流。 栅源驱动电流或反向电流。 一般在微安级 一般在纳安级 Test Condition： Test Condition： VGS=0，VDS =Rated VDS VDS=0，VGS =Rated VGS 静态参数