原子层沉积技术制备高性能微通道板的前期研究-Indico.PDFVIP

Annual conference of State Key Laboratory of Particle Detection and Electronics 24 -25, April, 2014, Beijing 原子层沉积技术制备高性能微通道板的前期研究 闫保军刘术林 中国科学院高能物理研究所 2014年4月24 日 Annual conference of State Key Laboratory of Particle Detection and Electronics 24 -25, April, 2014, Beijing 主要内容 1. 原子层沉积技术介绍及应用 1.1 传统薄膜制备技术的不足 1.2 ALD技术的基本原理 1.3 ALD技术的应用 2. 国内外研究现状 2.1 国外研究进展 2.2 国内研究进展 3. ALD设备购置进度 4. 前期ALD-MCP实验结果及讨论 4.1 ALD-MCP制备 4.2 实验测试结果 4.3 一些讨论 5. 下一步工作计划 5.1 工艺优化 5.2 完善测试 2 Annual conference of State Key Laboratory of Particle Detection and Electronics 24 -25, April, 2014, Beijing 1. 原子层沉积技术介绍及应用 1.1 传统薄膜制备技术的不足 L/D=20:1 Fig. 1 磁控溅射技术在硅微孔阵列中制备ITO薄膜， A 、B和C分别为微孔开口处、中间位置和底部扫描电镜图像（上图）和能谱（下图）测试结果 Magnetic sputtering ( ×) For L/D40:1 RF-PECVD ( ×) New thin film deposition technique ? 3 Annual conference of State Key Laboratory of Particle Detection and Electronics 24 -25, April, 2014, Beijing 1.2原子层沉积（ALD ）技术的基本原理 原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体，当前躯体到达衬底表面时，它们会在表 面化学吸附并发生表面反应，从而形成薄膜的一种方法。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对反应 腔体进行清洗。 Fig. 2 schematic diagram of ALD system Fig. 3 ALD cycle ALD技术的显著特征：精确的厚度控制（原子层级）、自限制特性、保型性。 4 Annual conference of State Key Laboratory of Particle Detection and Electronics 24 -25, April, 2014, Beijing 1.3ALD技术的应用 可用原子层沉积的最常用的材料： 氧化物：Al O , CaO, CuO, Er O , Ga O , HfO , La O , MgO, Nb O , SiO , Ta O , TiO , ZnO, ZrO , 等