支撑光网络发展的硅基光电子技术研究!.PDFVIP

物理学和高新技术 支撑光网络发展的硅基光电子技术研究! 余! 金! 中 （中国科学院半导体研究所! 集成光电子学国家重点联合实验室! 北京! #$$$% ） 摘! 要! ! 作为大规模集成电路和化合物半导体光电子器件的制造技术共同构成的一门高新技术，硅基光电子技 术越来越受到重视’ 文章着重介绍中国科学院半导体研究所外延生长()*+, () 量子结构和() 基器件研究的结果：采 用自行设计的-./, 0/1 系统，成功地生长出 型()*+, () 量子阱和量子点，直到23$4 仍能观察到自组织生长*+, ! ()（$$#）量子点的发光峰；研制成功()*+, () 谐振腔增强型光电二极管（506 71 ）、8 分支9:; 光调制器和多模干涉 马赫 曾德干涉型光开关等() 基光电子器件；#’ = 处506 71 的量子效率达到 ’ 2? ， 3/ 偏压下暗电流密 度#2@A, =2 ；2 B 2 热光型光开关的响应时间小于2$ C ，两输出端关态串扰为 22DE ，通态串扰为 #2DE’ 关键词! ! 光电子集成，()*+, () ，光电探测器，耦合器，光开关，全光网 !#$%’( )*+)’,’-+.)/- +’-0/),)12 3). (’4’,)*5’/+ )3 )*+-%, /’+6).7 8- F)GH:IJGK （!#$ %$ ’#()*#)* )+ ,+$-*#$. /0 )$1$2*)+324 ，,+435$ )6 !$732)+.52)*4 ，893+$4$ :2#.$7 )6 !23$+2$4 ，;$3 3+-= #$$$% ，893+# ） 8$+.%-+9 9 AC L G+M I)KI N+OIGJPJKQ ，OJ=R)GK NI+ SLRT)OLN)JG N+OIG)UV+C JS ;0 LGD OJ=@JVGD J@N)OLP D+H W)O+C ，()HRLC+D J@NJ+P+ONTJG)O N+OIGJPJKQ ILC R+OJ=+ =JT+ LGD =JT+ LNNTLON)W+’ X+ @T+C+GN T+CVPNC JS CNVD)+C JG ()HRLC+D J@NJ+P+ONTJG)OC OLTT)+D JVN )G NI+ ;GCNVNVN+ JS (+=)OJGDVONJTC ，0A( ，)GOPVD)GK -./, 0/1 +@)NLYQ JS ()*+, *+ UVLGNV= CNTVONVT+C LGD ()HRLC+D J@NJ+P+ONTJG)O D+W)O+C’ ZQ@+H ()*+, () UVLGNV= M+PPC LGD C+PSHJTH ! KLG)[+D DJNC ILW+ R++G CVOO+CCSVPPQ KTJMG ，LGD NI+ @IJNJPV=)G+CO+GO+ C@+ONTL STJ= NI+ UVLGNV= DJNC M+T+ =+LCVT+D LC SLT LC 23$4’ (+W+TLP ()HRLC+D D+W)O+C ，CVOI LC T+CJGLGN OLW)NQ +GILGO+D @IJNJD)JD+C ，J@N)OLP =JDVPLNJTC LGD CM)NOI+C ，ILW+ R++G SLRT)OLN+D’ ZI+ UVLGNV= +SS)O)+GOQ LGD DLT\ OVTT+GN D+GC)NQ JS NI+ @IJNJD)H JD+C LN #’ = LT+ ’ 2? LGD #2@A, =2 ，T+C@+ON)W+PQ’ ZI+ T+C@JGC+ N)=+ JS NI+ 2 B 2 NI+T=LPHJ@N)OLP CM)NOI+C )C CIJTN+T NILG 2$ C ，LGD NI+ NVT