掺杂和扩散I 动机.PDFVIP

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掺杂和扩散I 动机

杂和扩散 I 动机 更快的 MO S F ET 要求 更短的沟道 P+ 多晶 更浅的源,漏深度 沟道更短,同源, 漏深 = 需要更好的控制掺杂 扩散 漏极场决定了栅极场 = 漏极引起势垒降低 D IB L 沟道长宽比 = s 6 .155/ 3 .155J 9/29/03 1 浅 杂层是怎么形成的? 1) 预沉积: 由表面杂质的数量控制 ‘ 60s : 表面的薄膜或气相掺杂剂 表面浓度受平衡的溶度限制 C (x) 离子注入(非平衡) , 加热衬底以扩散掺杂剂 但是离子损伤了材料… 需要退火,改变杂质, C(z ) x 不久:表面的薄层或者气相掺杂剂 2) Drive-in process : 加热衬底+预沉积, 扩散决 定了结深,锐度 C (x) 需要使扩散的图形更 C 深度 6.155/ 3 .155J 9/29/03 2 6.155/ 3 .155J 9/29/03 4 掺杂,扩散 初始态 a) 气体扩散 F =U - T S . 如果与空气没有化学反应ct ion w ith a ir : F = - T S C ( z) 气体散开,随意填充了所有可能的态. b) I = V/R 电位梯度 电荷流动 电子漂移 为外部所加的 6.155/ 4 .155J 9/29/03 c)质量(或热)流J, 扩散物质 必须是可 由于 浓度梯度 溶的 dC z ()Dz=+J (z)-J (z+Dz ) ______ # dt area u t z dC = J(z ) - J() z + D z DzÆ0 æ æ æ Æ - dJ

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