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快中子辐照直拉硅中的空位型缺陷-IngentaConnect
· 808 · 硅 酸 盐 学 报 2013 年
第 41 卷第 6 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 41 ，No. 6
2 0 1 3 年 6 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY J u n e ， 2 0 1 3
DOI ：10.7521/j.issn.0454–5648.2013.06.15
快中子辐照直拉硅中的空位型缺陷
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杨 帅 ，徐建萍 ，邓晓冉 ，陈贵锋
(1. 天津理工大学理学院，天津 300384 ；2. 天津理工大学材料科学与工程学院，天津 300384 ；3. 天津职业技术
师范大学理学院，天津 300222 ；4. 河北工业大学材料科学与工程学院，天津 300130)
摘 要：利用正电子湮没谱(PAS)及 Fourier 变换红外吸收光谱(FTIR)技术研究了快中子辐照直拉硅(CZSi) 中辐照缺陷。研究发现，经快中子辐照后的
硅中会有大量的单空位型缺陷 VO 及多空位型缺陷 V 和 V O ；经 200～450 ℃热处理后，FTIR 光谱中出现的 720 和 919.6 cm–1 红外吸收峰为单空位
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型缺陷，其正电子寿命与 VO 的寿命接近，约为 290 ps ；经 450～600 ℃热处理后，随单空位型缺陷 VO 消失，V4 型缺陷浓度迅速增加，600 ℃热处
理后其浓度达到最大(相对浓度约为 70%) 。
关键词：直拉硅；正电子湮没；中子辐照；空位型缺陷
中图分类号：TN305.2 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2013)06–0808–04
网络出版时间：2013–05–21 16:36:22 网络出版地址：/kcms/detail/11.2310.TQ1636.015.html
Monovacancy Type Defects in Fast Neutron Irradiated Czochralski Silicon
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YANG Shuai ，XU Jianping ，DENG Xiaoran ，CHEN Guifeng
(1. College of Science, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China; 2. School of Materials Science and Engineering,
Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China; 3. School of Mathematics and Physics, Tianjin University of
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