应用於超浅接面之掺杂活化原子模型.PDFVIP

行 年 類 行 年年 行 參理林 理 利 年 年 ■成果 報 告 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫 □期中 進度報告 應用於超淺接面之摻雜活化原子模型(2/2) Atomistic Model of Dopant Activation for Ultra-Shallow Junction 計 畫 類別 ：■個別型計畫 □整合型計畫 計 畫 編號 ：NSC 96-2221-E-182-046-MY2 執 行 期間 ：96 年08月 01日至 98 年10月 31日 計 畫 主持 人：張睿達 共同 主持 人： 計畫參與人員 ：林志鴻、凌鈺庭、黃 孟茹 成果報告類型依( 經費 核定清單規 定繳交) ：□精簡報告 ■完整報告 本成果報告包括以下應繳 交之附件 ： □赴國外 出差或研習 心得報告 一份 □赴大陸地區 出差或研習 心得報告 一份 □出席國際 學術會議 心得報告及發 表之論 文各 一份 □國際合作研究計畫國外研究報告書 一份 處理方式 ：除產學合作研究計畫 、提升產業技術及人 才培育研究計畫 、 列管計畫及下列情形者外 ，得 立即 公開查詢 ■ ■ 涉及專利或 其他智慧財 產權 ，□一年 二年後可 公開查詢 執行單位 ：長庚大學電子工程研究所 中 華 民 國 九十九 年 一 月 二十九 日 1 中文摘要 本計畫以原子模型的方式研究高濃度磷摻雜之活化行為。在高濃度磷摻雜的環境中 ，磷 原子將會有機會與相鄰近的其他磷原子聚集形成團塊，在高濃度時空缺滲透主導去活化之現 象 ，當濃度較低時 ，去活化現象則由缺陷擴散速度主導。經過長時間的退火 ，活化程度趨於 飽合 ，我們發現 ，在低溫的去活化過程中 ，去活化的飽和現象並非由磷於晶片中的固態溶解 度決定 ，而是由磷原子形成聚集以及聚集溶解達成的動態平衡決定，即聚集的溶解速度決定 去活化的飽和程度。我們利用解析解的方式以及動態蒙地卡羅之原子反應模型協助分析磷的 去活化現象。模擬結果則由霍爾量測儀測得的活化濃度與片阻值驗證 。 關鍵詞 : 淺接面、磷 聚集 、去活化、動態蒙地卡羅 Abstract Kinetic Monte Carlo (kMC) and analytical models were developed for deactivation of phosphorus atoms. Silicon on insulator (SOI) wafers was used for uniform doping. In heavily doped samples, phosphorus may have probability to react with neighbor phosphorus atom to form clusters. Vacancy percolation effect dominated the deactivation at a high