国外集成电路命名方法器件型号举例说明(缩写字符AMD译名先进微.PDFVIP

国外集成电路命名方法 器件型号举例说明( 缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）) AM 29L509 P C B AMD 首 器件编号 封装形式 温度范围 分类 标 L：低功耗； D ：铜焊双列直插 C ：商用温度， 没有标志的 S：肖特基； （多层陶瓷）； （0-70 ）℃或 为标准加工 LS：低功耗肖特基； L ：无引线芯片载体： （0-75 ）℃； 产品，标有 21 ：MOS 存储器； P ：塑料双列直插； M ：军用温度， B的为已 25 ：中规范（MSI ）； E ：扁平封装（陶瓷扁平）； （-55-125）℃； 老化产品。 26 ：计算机接口； X ：管芯； H ：商用， 27 ：双极存储器或EPROM ； A ：塑料球栅阵列； （0-110）℃； 28 ：MOS 存储器理； B ：塑料芯片载体 I ：工业用， 29 ：双极微处理器； C、D ：密封双列； （-40～85 ）℃； 54/74 ：同25 ； E ：薄的小引线封装； N ：工业用， 60、61、66 ：模拟，双极； G：陶瓷针栅陈列； （-25～85 ）℃； 79 ：电信； Z 、Y 、U 、K 、H ：塑料 K ：特殊军用， 80：MOS 微处理器； 四面引线扁平； （-30～125）℃； 81、82：MOS 和双极处围电路；J ：塑料芯片载体（PLCC ）；L ：限制军用， 90 ：MOS ； L ：陶瓷芯片载体（LCC ）； （-55-85 ）℃＜ 91 ：MOS RAM ： V 、M ：薄的四面 125℃。 92 ：MOS ； 引线扁平； 93 ：双极逻辑存储器 P 、R ：塑料双列； 94 ：MOS ； S：塑料小引线封装； 95 ：MOS 外围电路； W ：晶片； 1004：ECL 存储器； 也用别的厂家的符号： 104：ECL 存储器； P ：塑料双列； PAL ：可编程逻辑陈列； NS 、N ：塑料双列； 98 ：EEPROM ； JS 、J ：密封双列； 99 ：CMOS 存储器。 W ：扁平； R ：陶瓷芯片载体； A ：陶瓷针栅陈列； NG ：塑料四面引线扁平； Q、QS ： 器件型号举例说明( 缩写字符：ANA 译名：模拟器件公司（美）) AD 644 A S H /883B ANA 首标 器件 附加说明