一种硅四层键合的高对称电容式加速度传感器.PDFVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ２８ １０ 犞狅犾．２８ 犖狅．１０ 　 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００７ １０ 犆犎犐犖犈犛犈犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犗犮狋．２００７ 一种硅四层键合的高对称电容式加速度传感器 ， ， １２ １ １ １ １ 徐玮鹤 车录锋 李玉芳 熊 斌 王跃林 　 　 　 　 　 （ 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 传感技术国家重点实验室，上海 ） １ ２０００５０ 　 （ 中国科学院研究生院，北京 ） ２ １０００４９ 　 摘要：提出了一种利用体微机械加工技术制作的硅四层键合高对称电容式加速度传感器 采用硅／硅直接键合技 ． 术实现中间对称梁质量块结构的制作，然后采用硼硅玻璃软化键合方法完成上、下电极的键合 在完成整体结构圆 ． 片级真空封装的同时，通过引线腔结构方便地实现了中间电极的引线 传感器芯片大小为 ． ６８犿犿×５６犿犿× ，其中敏感质量块尺寸为 对封装的传感器性能进行了初步测试，结果表明制 １６８犿犿 ３２犿犿×３２犿犿×０８４犿犿． 作的传感器漏率小于 －９ ３／，灵敏度约为 ／，品质因子为 ，谐振频率为 ０１×１０ 犮犿 狊 ６犉 ３５ ４８９犎狕． 狆 犵 关键词：电容式加速度传感器；硅／硅键合；圆片级真空封装 ： ； 犘犃犆犆 ０６３０犌 ０７１０犆 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犘２１２１２ 犃 ０２５３４１７７２００７１０１６２００５ 　　　 　　　 容易，三层乃至四层硅片的键合则存在一定的困难． １ 引言 而金／金热压键合则是在硅片两面的键合部分各制 　 作金图