毕业设计--外文翻译.docVIP

毕业论文（设计） 外文翻译 题 目： 系部名称： 专业班级： 学生姓名： 学 号： 指导教师： 教师职称： 20 年月日  A部分 晶闸管 在晶闸管的工作状态，电流从阳极流向阴极。在其关闭状态，晶闸管可以阻止正向 导电，使其不能运行。 可触发晶闸管能使导通状态的正向电流在短时间内使设备处于阻断状态。 使正向电压下降到只有导通状态的几伏（通常为1至3伏电压依赖于阻断电压的速度）。 一旦设备开始进行，闸极电流将被隔离。晶闸管不可能被闸关闭，但是可以作为一个二极管。在电路的中，只有当电流处于消极状态，才能使晶闸管处于关闭状态，且电流降为零。在设备运行的时间内，允许闸在运行的控制状态直到器件可控时间再次进入正向阻断状态。在逆向偏置电压低于反向击穿电压 然而，按照数据表中指定的晶闸管，其反向电流为零。在设备不运行的时间中，电流为零，重要的参数变为零转弯时间区间从零交叉电流电压的参考。晶闸管必须保持在反向电压只有在这个时间设备有能力阻止它正向电压导通状态。 如果一个正向电压晶闸管的这段时间已过设备可能过早地启动并可能导致设备和电路损害。数据表指定晶闸管通过的反向电压在这段期间一个指定的。这段期间有时被称为晶闸管的。 根据使用要求各种类型的晶闸管是可得到的在除了电压和电流的率转弯时间和前方的电压降1。控制晶闸管。 称为晶闸管转换器，这些都是用来要是整顿阶段，如为直流和交流电机驱动器和高压直流输电线路应用电压和电流。主要设备要求大电压电流低通态压降。这类型的晶闸管的生产晶圆直径到10厘米，其中平均目前大约是4000。 2。逆变级的晶闸管。设计有小关断时间除了低导通状态电压，虽然在设备导通状态电压值较可2500V和1500A他们的关断时间通常在几微秒范围100μs之间，取决于其阻断电压和通态压降。 3。光晶闸管些会脉冲光纤触发被引导到一个特殊的敏感的地区。光化的晶闸管触发使用在适当波长的光的对硅产生多余的电子空穴。这些晶闸管的主要用途是应用高压如高压直流系统有许多被转换器阀门。光控已经发现的等级4kV的3kA导通状态电压2V、光触发5毫瓦的功率要求。 现代半导体功率控制相当数量的电路驱动，除了电路功率器件本身。 这些控制电路通常由微处理器控制，其中包括逻辑电路。这种在同一芯片上包含或作为功率器件来控制和驱动电路将大大简化了整个电路的设计和扩大潜在的应用范围。这样的整合将会产生一个更便宜和更可靠的电源控制系统。总的来说，将减少复杂性（较少独立电路和使用这类功率集成电路系统组件）。 这样的整合已经被证明有很多应用。 这里有三个类功率积体电路包括所谓的智能或智能开关，高电压集成电路（HVIC能够）和离散模块。功率集成电路领域，特别是智能交换机和HVIC，被认为是500-100 A和目前的水平相差约1000伏或更少。离散模块开关垂直力其他组件的设备，而无需动力装置的垂直过程的顺序是可行的。 如片上的过流和过温传感器，以及驱动部分，可以包含例子结形成的N - 漂移地区和P 区域始终是反向偏置，如果垂直功率的漏极是相对于源，从而积极这个路口提供了电气隔离之间的横向和纵向的。高电压（HVIC）集成电路都采用传统的逻辑设备制造过程，但一些修改，使横向高电压设备也可兼容低电压的设备。简单的例子，每个在其中的各种设备之间实现了电气隔离的方式不相同HVIC有更多的复杂性。 离散模块是由多个芯片安装在一个共同的绝缘基板密封成一个包包括各种芯片垂直器件，驱动电路芯片和控制电路芯片（甚至一个PWM控制器），以及其他可能的功能。这种方法并不是一个完全集成制造法，我们有潜力，因为它目前广泛应用智能开关或HVIC。 使用电力电子电路面临几个经济和技术方面的挑战。技术问题包括: 在解决挑战的研究进展 低压设备与来自元素也可以实现介电分离、结分离、或。介质隔离能实现两种方式。隔离主要由蚀刻切片或晶圆片生长着一层二氧化矽。其次矽沉积在。沉积下来的硅退火后的高温再结晶过程可以用于制作低压设备。介质隔离是免费的寄生设备如二极管SCR已成为大功率电器的重要组成部分和信号调理控制在某些方面它是一个固态继电器，虽然。标准二极管一个。在理想的意义上可控硅，就像是一个二极管不会在任何一个方向进行，直到它被打开或。注相似一个二极管但添加了终端叫做门。如果SCR是向前偏见否则就无法行为。现在，假设一个电压，就放在阴极门。会有一些积极的电压值 - 触发电压 - 其中可控硅将开始进行阳极阴极和行为像一个正常的门电压拿走，它会继续进行这样一个二极管，这是，一旦打开，将，无论门。只有这样，才能把可控硅回“关”是有