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111除开号 eN 1051824A (9) 中华人民共和国专利局 (12J 发明专利申请公开说明书 [21] 申请号5 [51] Int.CJ5 l:IOIL 31/042 (:3) 公开日 1991 年 5 月 29 日 (22)申请日 90.6.13 ~专利代削阶市专利事务所 代理人李华 阳i 申请人周庆明 地址 15ω49 黑龙江省哈尔摸市哈阿公路 50 号 哈尔滨-克罗拉太阳能公司 I71J发阴人周庆明 ROIL 31/20 说明书页数: 6 酣图页数: 3 β4)发明名称非晶硅光电池片及其制造法 β7J摘要 本发明非晶硅光电池片及其制造法,特别涉及一 种外联式集成小型片光电池及应用激光技术的制造 方法.其产品特征在于光电池片的每个单元电池的 透明导电腕图形是相同的.目的在于使用激光法制取­ 透明导电膜集成图形.其方法特征在于将先进的激 m A 守 V 光切割技术应用于透明导电膜和非晶硅层集成图形 加工以代替工艺复杂的光刻法和掩膜法. . 、 (且J)第1456号 权利要求书 l 、由玻璃基底.透明导电膜、非晶硅层、 铝膜背电 极构成的外联集成小型非晶硅光电池片,其特i正在于每个 单元·光电池片基底与非晶硅层之闯的透明导电膜的形状相 同,是在标准矩形膜的一角有一 LIf型沟道,构成一个小 的矩形, 与原标准矩形之间有沟道相隔 F 2 .根据权利要求l 所述的外联集成式小型非晶硅光电 池,其特征在于所述的沟道宽度为 O. 05 ~ O. 4mm. 3 .外联式小型非晶硅尤电地片制造方法, 其特征在 于革璃基底丰制备均匀透明导电层后激龙切割透明导电层 为透明导电层集成图形,并洗净.干燥 F 在透明导电层上 沉积非晶硅层( a- Si )后, 激光切割非晶硅层为非晶硅集 成图形,并吹净切削物然后用掩膜法或尤刻腐蚀法加五铝 膜背电板,经分苯切割为单体小型非晶硅龙电池片心 2 说 明 书 非晶硅尤电池片及其制造法 本发明非晶硅光电池片及其制造方法,属半导·体器件, 具体的说是一种外联集成式非晶硅光电池片及其采用激光 切割技术的制造方法. 国 i 为公知的非晶硅(a 一- S i )光电

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