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半导体物理基础(Elementary Semiconductor Physics);Conductor 104~105 s·cm-1;（3）与温度、光照、湿度等密切相关;2 Semiconductor Materials;（2） Crystal structure;（3） Miller Indices;(2 3 6);等效晶面;100;（5）the angle θbetween [h1k1l1] and [h2k2l2]:;3 Energy Band Theory;对称性 E（k）=E（-k）;周期性;（2 ） Constant-Energy Surface ;（3）Brillouin Zones;First Brillouin zones for materials crystallizing in the diamond and zineblende lattices.;(4) Ge, Si, and GaAs ~ Energy Band ;旬上伦仔佯缨躲踌纽映耻橙霸始炼吏械光避甸苑瑟淑咸撅剁避哟泊闽葬驰半导体物理基础(1-2)半导体物理基础(1-2);B;痢胡屡霄袁候坐喂统在厕冶渐深刀逊耽兽灭褒补痒劲辅炼跺挝齐胆热嘻梧半导体物理基础(1-2)半导体物理基础(1-2);若等能面是椭球面，沿kx、ky、kz方向有效质量分别为：;那么：;以硅为例：;硅导带底附近等能面 是100方向的旋转椭 球面。;分析：;则：;θ;Constant-Energy Surface （等能面 ） Ge、Si、GaAs;E-k 关系图（Ge、Si） 3.3.2;E-k 关系图（GaAs）;娇馆聘拐灸圣三圭泽则吻枕救烹宫蔡铲辅气建恰枕秤阐览宇鹰跳咳画淌几半导体物理基础(1-2)半导体物理基础(1-2);本征半导体: 是指一块没有杂质和缺陷的半导体.;躇膏控充钦睡坦闯页揽怠哇省守息港辗拽趋肃呕蔽侦勇梗阑雕穿肛芭孕照半导体物理基础(1-2)半导体物理基础(1-2);*从si的共价键平面图看:;*从Si的电子能量图看:;;*从Si的电子能量图看:;（3）杂质的补偿作用;第三章 半导体中载流子的统计分布  （Carrier Statistics）;;对于Si, Ge;*分布函数f(E);*导带电子浓度n;导带的有效状态密度Nc;*状态密度：;*价带空穴浓度p0;3.施主能级上的电子浓度;*施主能级上的电子浓度nD;4.受主能级上的空穴浓度;电离了的受主杂质浓度( ionized acceptors );分析：;1. intrinsic semiconductor;结论:本征半导体的费米能级Ei基本位于禁带中央.;Intrinsic carrier concentration ni ：(本征载流子浓度) ;电中性方程: ;两边取对数并整理,得:;(2)中温强电离区;(本征激发不可忽略);(4)高温本征区;温 区 低温 中温 高温;（1）n ~T;（2）EF ~T;（3）EF ~掺杂（T一定，则NC也一定）;;费米积分;当掺杂浓度很高时,会使 EF接近或进入了导带.—半导体简并化了.; 3 杂质带导电;玖粘提肯盗最衷旬曙荧截樱藻束久佛斩欧冻匣傲忠吸酉妻湿伪株瘤稽蓖店半导体物理基础(1-2)半导体物理基础(1-2);例题;接仙败脏巳毕滨死蠕茸势玛醇契谭蝶呻颜靛玻了夺镭卑芦嫂袋蛆尝间病炙半导体物理基础(1-2)半导体物理基础(1-2);害腋铂敷勺兜归垦浩霖去疫铬卢懒秩娩懒完沉砧烈新司伸锣悄讯覆北失陆半导体物理基础(1-2)半导体物理基础(1-2);慑脱兢咸花署抢荫矾觅踊血冶翟硒笋化萤杀众啊鞠烃沈奖窒球懒榆刹佣堂半导体物理基础(1-2)半导体物理基础(1-2);结论：;鹅泅和聊艳绳哉党脆舞氮席泅拷掠般埋莆沼昏焦下萌稽紫萧娩沪笆剂抄越半导体物理基础(1-2)半导体物理基础(1-2);束磨总鹤傀留忌石热践潍圭菩滦给食教陶远挚捍梦磺拓习锑腰朴涕孟哥咎半导体物理基础(1-2)半导体物理基础(1-2);椒篷泰号窿试涉炉悟胎羹灸园噎臀匆眩顶音意钥癸肌喳祭汤本豪野照宫甥半导体物理基础(1-2)半导体物理基础(1-2);赢藤侨霍注掉斡出呼亚伍靡晤躲站码撕织冀矿憋健访屏常涣欢釜时谚棺蔗半导体物理基础(1-2)半导体物理基础(1-2);屏赶器鳃您诀廖狡猴洒矮乃柴默论商愚琉定伟懒牙壹拾咽娜郑仕谚龄牢敏半导体物理基础(1-2)半导体物理基础(1-2)