Bi_1_2Na_1_2_Ti_省略_电陶瓷制备工艺的优化及其结构分析_杨晓冬.pdfVIP

　第 3期 晓冬等:Bi Na TiO B aTiO 系无铅压电陶瓷制备工艺的优化及其结构分析 /2 /2 3 3 73 电损耗显著下降, 压电性能相对提高, 显著提高了 BNBT体系陶瓷的介电、压电性能。 3　(-x )(Bi Na )TiO-xBaTiO 的结构分析 /2 /2 3 3 3. 　室温下 BNBT的MPB 由上述结果可见, BT 的摩尔分数是影响 BNBT 陶瓷压电性能和介电性能的主要因素, 而材料的宏 观性能必定与其微观结构密切相关。在室温下, [8] NBT属于三方晶系 , 由于 BaTiO 晶体在室温下属 3 四方晶系(c /a = .02), 随着 BaTiO 摩尔分数的增 3 a—x =0;b—x =0. 02;c— x =0. 04;d—x =0. 06; 加, BNBT 00x 陶瓷将从三方向四方转变, 必存在 e—x =0. 08;f—x =0. 0;g—x =0. 2 一个三方 四方的MPB。 图 2　BNBT 00x 在{200}面上的XRD 图谱 图 和图2是室温下, BNBT 00x 试样在不同 Fig. 2　{200}reflections in XRD patterns of BNBT-00x BT摩尔分数下{ }和 {200}衍射峰的变化情况。 {220}衍射峰的变化情况。从图 3中可以看出当 0≤ 从图 中可以看出, 当 0≤x≤0.06时, { }衍射峰 x≤0.06时,存在着显著的{220}三方分裂峰,且三方 的三方分裂都非常显著, 且随着 BT摩尔分数的增 {220}衍射峰的强度随 BT摩尔分数的增加而逐步减 加,三方分裂的程度有所下降。而当 0.06≤x≤ 小。当x =0.06 时, 衍射图中出现了三方和四方 0.08时,存在三方 {- }衍射峰的同时还存在四 {220}的衍射峰。且四方{220}衍射峰的强度随着 BT 方结构的 { }衍射峰。当 0. 0≤x≤0. 2 时, 摩尔分数的增加而逐渐增高。当 0.08≤x≤0.2时, { }衍射峰完全显示四方结构, 三方衍射峰消失。 指标化只显示四方{220}和{202}的衍射峰。 a— x =0;b— x =0. 02;c—x =0. 04;d— x =0. 06; a—x =0;b—x =0. 02;c— x =0. 04;d—x =0. 06; e— x =0. 08;f— x =0. 0;g— x =0. 2 e—x =0. 08;f—x =0. 0;g—x =0. 2 图 　BNBT 00x 在{ }面上的XRD 图谱 图 3　BNBT 00x 在{220}面上的XRD 图谱 Fig. 　{ }reflections in XRD patterns of BNBT 00x F ig. 3　{220}reflections in XRD patterns of