LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计-微波EDA网-射频工程师,天线.PDF

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2017-06-15 发布于天津
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第34卷第2期电子器件 V01．34No．2 Chinese ofElectronDevices 201 Joumal 1年4月 Apr．2011 ofLDMOSBroadBandPowerTransistor MatchCircuit Design Amplifier’S MA Lixian，LI Minquan+ (KeyLaboratoryofIntelligent University，Hefel230000，China) Computing＆Siga,dProcessing，MinisuyofEducation，Anhui sortoffastand termsoftheLDMOSbroadband circuit’S effective Abstract：In poweramplifiermatching design，a methodwas themulti admittancestoobtainthebroadband proposed．Afteradopting parallel matching matching circuit’S softwarewasusedbasedonthemethodofmomentto circuit’SS initialization，ADS optimizematching simulationresultsshowedthat reflectanceissmallerthan一25dBbetween1．3GHzand2．3 parameter．The port’S factorofthe network 0dB．Inordertomake GHz，transmissionmatching approaches impedancematchingwell，ADS to transistor’S softwarewasused the network makesits optimize again，which impedanceapproachpower matching actual methodis of for broadband circuit outputimpedance．Theworthylearningdesigning poweramplifiermatching fastand accurately． band admittances Keywords：LDMOS；broadmatch；ADS matching optimize；multiparallel EEACC：2570D；1220doi：10．3969／j．issn．1005—949