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LCMO,LSMO单、双层薄膜的制备和电学性质 - 东南大学学报.PDF

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LCMO,LSMO单、双层薄膜的制备和电学性质 - 东南大学学报

第40卷第1期 东南大学学报(自然科 学版 ) Vol.40 No.1   2010年1月 JOURNALOFSOUTHEASTUNIVERSITY(NaturalScienceEdition)   Jan.2010 doi:10.3969/j.issn.1001-0505.2010.01.041 LCMO,LSMO单、双层薄膜的制备和电学性质 张孝青 陈立立 何光旭 朱 明 (东南大学物理系,南京210096) 摘要:采用脉冲激光沉积法在Si衬底上沉积La CaMnO,La SrMnO(x=02,05,08) 1-x x 3 1-x x 3 单钙钛矿锰氧化物单层膜和双层膜.采用LCR仪等分析测试手段研究了薄膜异质结的电流 电 压特性.IV特性曲线表明:单钙钛矿La CaMnO/Si和La SrMnO/Si均表现出了与传统 1-x x 3 1-x x 3 pn结相似的整流特性,但是La CaMnO/Si的整流特性要明显优于La SrMnO/Si,这可 1-x x 3 1-x x 3 能是因为La CaMnO 同衬底晶格常数更为匹配且Sr掺杂引起的晶格畸变场势阱更深的缘 1-x x 3 故.在双层膜结构中可能是由于能带结构的原因,按La SrMnO/La CaMnO/Si顺序排列 1-x x 3 1-x x 3 + 的异质结相当于ppn结构,IV特性明显类似传统的整流特性,而La CaMnO/La 1-x x 3 1-x SrMnO/Si顺序的异质结相当于npn型,整流特性不明显. x 3 关键词:脉冲激光沉积法;异质结;整流 中图分类号:O469  文献标志码:A  文章编号:1001-0505(2010)01021805 Preparationandelectricpropertiesofsingleanddoublethinfilm ofLCMOandLSMO ZhangXiaoqing ChenLili HeGuangxu ZhuMing (DepartmentofPhysics,SoutheastUniversity,Nanjing210096,China) Abstract:La CaMnO,La SrMnO singleanddoublethinfilmsarepreparedbypulsedlaser 1-x x 3 1-x x 3 deposition(PLD)ontheSi(100)substrate.Thetransportpropertiesoftheheterojunctionwerestud iedbytheLCRmeter.TheIVcurvessuggestthatrectificationpropertyofLa CaMnO/Siand 1-x x 3 La SrMnO/Siheterojunctionsissimilartotraditionalsemiconductorpnjunction.However

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