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2017-06-15 发布于天津
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D882 广东省粤晶高科股份有限公司

广东省粤晶高科股份有限公司 D882 —NPN silicon — ■■主要用途：功率放大。 TO-126 Ta 25 ■■绝对最大额定值（＝ ℃）项目符号额定值单位集电极—基极电压 VCBO 40 V 集电极—发射极电压 VCEO 30 V 发射极—基极电压 VEBO 5 V 集电极电流 IC 3 A 集电极耗散功率 PC 1 W 结温 TJ 150 ℃ Tstg 55~150 存储温度 ﹣ ℃ Ta=25 ■■电参数（ ℃）项目符号最小值典型值最大值单位测试条件直流电流增益 hFE 60 400 VCE= 2V ，Ic= 1A - ICBO 1 A VCB= 30V，IE=0 集电极基极截止电流 μ - IEBO 1 A VEB= 3V，Ic=0 发射极基极截止电流 μ 40 - BVCBO V Ic= 1mA ，IE=0 集电极基极击穿电压 30 - BVCEO V Ic= 10mA IB=0 集电极发射极击穿电压， 3 - BVEBO V IE= 1mA Ic=0 发射极基极击穿电压， 0.3 1.5 - VCE(sat) V Ic= 2A ，IB= 0.2A 集电极发射极饱和压降 1.0 2.0 - VBE(sat) V Ic= 2A, IB= 0.2A 基极发射极饱和压降 90 - fT MHz Ic= 100mA ，VCE= 5V 电流增益带宽乘积 45 共基极输出电容 Cob PF VCB= 1