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2017-06-15 发布于天津
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R 3DD209L低频放大管壳额定的双极型晶体管 D209L 产品特性 ◆高耐压 ◆高电流容量 ◆高开关速度 ◆高可靠性主要用途 ◆高频开关电源 ◆电子镇流器 ◆高频功率变换 ◆一般功率放大电路引线端序号及等效电路图概述 3DD209L是NPN双极型大功率晶体管，制造中采用的主要工艺技术有：高压平面工艺技术、三重扩散技术等，并且采取了能够最大限度的兼顾电流容量与耐电冲击性的发射区网格的横向设计。绝对最大额定值(Tc=25℃) 项目符号数值单位集电极—基极直流电压 VCBO 700 V 集电极—发射极直流电压 VCEO 400 V 发射极—基极直流电压 VEBO 9 V 最大集电极直流电流（DC） Ic 12 A 最大集电极脉冲电流（pulse） Icp 24 A 最大基极直流电流 IB 6 A 最大集电极耗散功率 Pc 120 W 最高结温 Tj 150 ℃ 贮存温度 Tstg -55~+150 ℃ 2004.01 1/5 D209L 电特性 (Tc=25℃) 项目符号测试条件最小值最大值单位集电极—发射极维持电压 VCEO(SUS)Ic=10mA,IB=0 400 V 集电极—基极击穿电压 V(BR)CBOIc=1mA,IB=0 700 V 发射极—基极击穿电压 V(BR)EBOIE=1mA,Ic=0 9 V 集电极—基极反向漏电流 ICBO VCB=700V, IE=0 100 μA 集电极—发射极反向漏电流ICEO VCE=400V,IB=0 50 μA 发射极—基极反向漏电流 IEBO VEB=7V, IC=0 10 μA hFE(1) VCE=5V,C=5AI 8 40 直流电流增益 hFE(2) VCE=5V,C=8AI 5 VCE(sat)(1)IC=5A,B=1AI 1.2 V 集电极—发射极饱和压降 VCE(sat)(2)IC=8A,B=1.6AI 1.6 V 基极—发射极饱和压降 VBE(sat)IC=8A,B=1.6AI