直流反应磁控溅射法制备GaN共掺p型ZnMgO薄膜.pdfVIP

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2017-06-15 发布于上海
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直流反应磁控溅射法制备GaN共掺p型ZnMgO薄膜论文

浙江大学硅材料国家重点实验室直流反应磁控溅射法制各Ga-N共掺P型zmagO薄膜 ABSTRACT Zinc isanovelII-VI semiconductor谢tha埘dedirect oxide(Zn01 compound bandgap is anda wu．rtzitestructure．In a candidatefor hexagonal particular,ZnOpotential applications in laser short-wavelengthoptoeleetronicdevices，includinglightemittingdiodes(LEDs)and toits exciton direct、】lride and high meV,cf．25 diodes(LDs)，due bandgap bindingenergy(60 meVfor willfavorefficientexcitonicemission atroom GaN)，which lYfOC七SSeS temperature． Whatis is with band nloi．e,whenMgOMloyedZnO，thegapenergyofZnMgOternaryalloy Canbetuned extended the ZnO in gives byvaryingMgcomposition,which application ultraviolet region． t0realize isanintrinsicn semiconductoranditismtherdifficult ZnMgOalloy type P isstillamain be this to overcomed．In typeconduction,SO，itchallenge paper,Oa-Ncodoped thinfilmswerefabricated dereactive p-typeZnMgO byusing magnetronsputtering as workissummarizedbelow： (DC-RMS)．Our filmswith Wele DC—RMS．Theeffectof 1．Znl．xM甑O：(G砌彤thingoodqualitypreparedby