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（ D ）下面关于有效质量的叙述错误的是 。 A. 有效质量概括了半导体内部势场的作用 B. 有效质量直接把外力f和电子的加速度联系起来 C. 有效质量的引入使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用 D. 不是所有的有效质量都可以直接由实验测定 2. （ D ）对于只含一种杂质的非简并ｐ型半导体，费米能级随温度上升而 A. 上升 下降 D. 经过一极值趋近Ei 4. （ ）不是深杂质能级特点的是 。 A. 杂质能级离带边较近 B. 多次电离（多重能级） C. 有可能成为两性杂质 D. ED，EA 可与Eg相比拟 B.载流子浓度取决于两种杂质浓度之差，载流子迁移率取决于电离杂质总浓度 C.载流子浓度取决于电离杂质总浓度，载流子迁移率取决于杂质浓度较大者 D.载流子浓度取决于电离杂质总浓度，载流子迁移率取决于两种杂质浓度之差 二、填空题 1. 半导体回旋共振实验的目的是测 有效质量 ，了解 能带结构 。 2. Si是 B（或者间接） （A.直接 B.间接）能隙结构，GaAs是 A（或者直接） （A.直接 B.间接）能隙结构 3. 纯净半导体Si中掺Ⅲ族元素的杂质，这种杂质称 受主 杂质；相应的半导体称 p 型半导体。 4. 电子在各能量状态上的分布服从 费米分布 的半导体称为简并半导体，可以采用 波尔兹曼分布 近似描述的半导体称为非简并半导体。 5. n型半导体中只有一种施主杂质，杂质浓度为ND，则电中性条件为 。 6. 强n型半导体中，电阻率与迁移率的关系式。 7. 半导体中载流子在运动过程中遭到散射的根本原因是 周期性势场 的被破坏。 8. 电离杂质散射概率Pi，随着温度T的升高而 减小（或降低） ，随着电离杂质浓度的增大而 增大（或升高） 。 9. 最有效的复合中心能级的位置在 禁带中央 附近，最有利于陷阱作用的能级位置位于 平衡时的费米能级 附近。 10. p-n结电容包括 势垒 电容和 扩散 电容 11. 平衡pn结的接触电势为。 12. 制作欧姆接触最常用的方法是用 重掺杂 的半导体与金属接触。 13. 某N型Si 半导体的功函数WS 是4.3eV，金属Al 的功函数Wm 是4.2 eV，该半导体和金属接触时的界面将会形成 反阻挡层（或者欧姆接触） 。 深能级杂质在半导体中起复合中心或陷阱的作用。 浅能级杂质在半导体中起施主或受主的作用。试指出空穴的主要特征。的p型硅中，与表面势Vs 多数载流子堆积状态：。AB段（1分） 平带状态：。B点（1分） 耗尽状态：。BC段（1分） 反型状态：。CD段（弱反型）；DE段（强反型）（2分） 4.（5分）肖特基势垒二极管与pn结二极管的相同点是什么？前者区别于后者的主要特点是什么？ 相同点： 肖特基势垒二极管和pn结二极管具有类似的电流—电压关系，即它们都有单向导电性。(2分) 肖特基势垒二极管区别于pn结二极管主要特点为： （1）就载流子的运动形式而言，pn结正向导通时，由p区注入n区的空穴或由n区注入p区的电子，都是少数载流子，它们先形成一定的积累，然后靠扩散运动形成电流。这种注入的非平衡载流子的积累称为电荷存贮效应，它严重地影响了pn结的高频性能。而肖特基势垒二极管的正向电流，主要是由半导体中的多数载流子进入金属形成的。它是多数载流子器件。因此，肖特基势垒二极管比pn结二极管有更好的高频特件。(2分) （2）对于相同的势垒高度，肖特基二极管的JsD或JsT要比pn结的反向饱和电流Js大得多。即对于同样的使用电流，肖特基势垒二极管将有较低的正向导通电压，一般为0.3V。(1分) 5. 下图给出了电子的迁移率与温度及掺杂浓度的关系图，写出迁移率与温度的关系式，并试就此关系曲线说明硅样品电阻率与温度和掺杂浓度的关系。 一般可以认为半导体中载流子的迁移率主要由声学波散射和电离杂质散射决定，因此迁移率μ与电离杂质浓度Ni和温度间T的关系可表为 （或）（3分） 其中A、B是常量。由此可见 （1）杂质浓度较小时，μ随T的增加而减小；（2分） （2）杂质浓度较大时，低温时以电离杂质散射为主、上式中的B项起主要作用，所以μ随T增加而增加，高温时以声学波散射为主、A项起主要作用，μ随T增加而减小；（3分） （3）温度不变时，μ随杂质浓度的增加而减小。（2分） 6、（10分）画出外加正向偏压（小注入情况）下，pn结的能带图及载流子少子分布图，并比描述一下载流子的运动情况。 （3分） （3分） 在p-n结两端加正向偏压V, V基本