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PECVD简介 等离子体增强型化学气相沉积（简称PECVD），是一种在较低的压力下，利用电磁场产生放电，通过电子碰撞使通入气体分解成高活性的粒子，从而在气相和基板表面发生化学反应而沉积薄膜的方法。PECVD技术可用于沉积非晶硅、微晶硅、硅锗、氮化硅等薄膜。设备在叠层硅薄膜电池、硅基异质结（Hetero Junction）电池、OLED等领域有广泛运用。 理想能源PECVD设备具备以下特点 等离子体稳定时间小于1s 采用甚高频电源，极大提高沉积速率 双层真空设计，保持稳定、清洁的成膜环境 电极优化设计，薄膜均匀性指标达到5% 无交叉污染 适用于大面积生产及研发（第五代线尺寸） 设备反应腔可同时叠层生产，有效提升产能 控制系统的界面友善、操作简单、数据采集方便 产品 单腔室PECVD（PE-800TB） 理想能源开发成功的单腔室研发设备（图一）适用于各高校、研究所及企业研发机构。产品已成功通过客户的各项功能测试，交付使用。 产品特点： 采用与理想能源量产设备相同的反应腔，研发工艺结果可直接导入大规模生产 已开发出硅基叠层薄膜电池及异质结电池技术 样机已运行3年，性能稳定、可靠 多腔室PECVD（PE-800） 产品特点： 适用于硅基叠层薄膜电池生产，电池稳定效率超过11% 各反应腔之间电池效率偏差低于2% 微晶硅晶化率可调范围：40%-80% 设备年产能： 非晶/微晶硅叠层薄膜电池20MW 非晶硅单节薄膜电池30MW 在线式单腔PECVD（HJ-1200） 产品特点： 重复、稳定、可靠，特别适用于高质量异质结晶体硅电池 与客户合作完成异质结电池光电转换效率已经超过21.3%； 本设备已在客户方投入量产； 高产能：1200片/小时 （125mm*125mm）； 甚高频（40MHz）等离子体源，基片损伤低； 无移动原件射频匹配技术，等离子体稳定时间0.5秒； 在线式设计可同时满足研发和量产需求 ? 图三. 理想能源异质结电池非晶层生产设