用吉时利4200-SCS和590+CV分析仪测试MOS结构的界面态.pdfVIP

电子测量与仪器学报 2006年增刊 用吉时利4200-SCS和590 的界面态 董金珠1’2刘海涛1’2张建新1’2江美玲1梁平治1 (1．中国科学院上海技术物理研究所，上海200083) (2．中国科学院研究生院，北京100049) 电压的关系。根据MOS结构上所加电压与表面势的关系，以及在禁带中表面势与能量之问的关系，求出电压与能量的关系。 最后得到界面态密度在禁带中按能量的分布。 关键字：吉时利MOS界面态 Characterization Model590CV System(SCS)andAnalyzer Jinzhul’2‘LiuHaita01’2 Jianxinl’2 Dong Zhang JiangMeilin91LiangPingzhil InstituteofTechnical ofSciences，Shanghai (1·Shanghai Physics，ChineseAcademy 200083，China) Si02在半导体器件生产中有着十分重要的作 用，通常被用来作为器件表面的钝化层和保护膜。 1预0试J杀理 本文利用吉时利公司的4200和590测试出 能带来不良的影响。因此在生产上要采取各种措施 徽燃黧!!：缴嬲耄差密度嚣嚣孑簇紫嚣豢t1-I--r--x．．MOS 来判断缺陷和沾污情况，而在生产过程中通常采用 三茄差蒜孑s荔葛T上l；j。蒜9◆磊吴篆_夏蠢枭蔷 C-V特性来监控si02层的质量及钝化的效果。 中表面势vs与能量E之间的关系，得到禁带中能 吉时利的4200-SCS和590CV测试仪是被广为 量E与电压V的关系。因此由Ns‘s．V与E-V就可 使用的两种仪器，4200-SCS主要用米测试各种半导 以得到Nss．E，即禁带中界面态密度的分布。 竺跫竺竺翌苎笙竺紫兰Y竺．、C。-V。翌譬|：1．159。0。CV。．测。 1．1界面态密度与电压的关系 试仪主要用来应对二卜导体测试中的电容、电导与电 ………一。…一…～ MOS结构的低频特性曲线可以采用准静态方 压关系的测试，它可以100kHz和IMHz频率的电 法测试，具体足在样品栅极与衬底之间施加一个斜 压测试器件Ⅲ。在实际的CV特性测试过程中，通 坡电压，利用吉时利4200测出I_V曲线，．然后根据 常将4200和590连接起来，以便在4200上显示出 斜坡妻嘉嚣薷簧囊耄墓凳出GV关系曲线。 三罂竺苎釜：，。斐耄量在4200上存储测试出的数据， ………一……～ 利于后续的数据处理。 1025 电子测量与仪器学报 2006年增TIJ VO尸‰ h (1) 秘 II (2) (8) 则k“盟刃I一出 蚝=g