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STI及WPE问题及版图注意分locos隔离和STI隔离Locos隔离是厚氧隔离，STI是浅沟道隔离STI的概念STI是Shallow Trench Isolation的缩写，STI压力效应就是浅槽隔离压力效应。为了完成有源器件的隔离，在它周围必须形成绝缘侧壁，在较为先进的CMOS工艺制成中，通常用STI的方法来做隔离。浅槽隔离利用高度各向异性反应离子刻蚀在表面切出了一个几乎垂直的凹槽。该凹槽的侧壁被氧化，然后淀积多晶硅填满凹槽的剩余部分[1]。在substrate挖出浅槽时会产生压力的问题。由于扩散区到MOS管的距离不同，压力对MOS管的影响也不同。所以对于相同长宽两个MOS管，由于对应的扩散区长度的不同而造成器件性能的不同。第四组：用固体能带理论来解释导体、半导体、绝缘体简单来说，绝缘体理论上是不导电的，就是说你随便怎么加电，都没有电流产生，因为绝缘体中是没有自由电子；导体导电性好，只要加电，就会产生电流，因为导体中有大量的自由电子，在电场作用下朝一个方向移动，产生电流；半导体相对复杂一些，不同的半导体导带中的自由电子数量不一样（虽然不同导体自由电子也不一样，但平均来说，半导体的自由电子量级是远远低于导体），如本征半导体，导电性非常差，因为电子和空穴的数目相等，而掺杂半导体根据掺杂类型的不同，P型中空穴较多，N型中电子较多，这样在电场作用下就会产生电流。深入到具体理论，需要从能带角度来解释，这个相对要深一些。本征半导体在绝对零度是不导电的，因为导带中没有电子，在温度、光照等作用下，价带电子跃迁到导带形成自由电子，价带中形成空穴，这就是电子空穴对；掺杂半导体杂质原子提供电子或空穴。而导体的导带是半满带，本身就有大量自由电子，不需要激发跃迁，所以导电性好。绝缘体因为禁带宽度很大，因此价带上的电子很难跃过禁带跃迁到导带，导带上没有电子就不导电。第五组：什么是Bipolar工艺，什么是Cmos工艺，什么是Bi-cmos工艺，什么是BCD工艺双极器件，bipolar，是以PN-PN结为基础的器件CMOS指互补金属氧化物(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺，它的特点是低功耗。由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间看，要么PMOS导通，要么NMOS导通，要么都截至，比线性的三极管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。BCD工艺概述 Overview of BCD Process 是一种单片集成工艺技术。1986年由意法半导体（ST）公司率先研制成功，这种技术能够在同一芯片上制作双极管bipolar，CMOS和DMOS 器件，称为BCD工艺。了解BCD工艺的特点，需要先了解双极管 bipolar，CMOS和DMOS器件这三种器件的特点，详见表1。$ j D, P k1 D( g 表1 双极管Bipolar,CMOS和DMOS器件的特点器件类别器件特点应用双极器件两种载流子都参见导电,驱动能力强,工作频率高,集成度低模拟电路对性能要求较高部分(高速、强驱动、高精度) 3 ~1 n$ {6 h# s7 Y CMOS器件集成度高,功耗低适合做逻辑处理,一些输入,也可以做输出驱动 DMOS器件高压大电流驱动(器件结构决定漏端能承受高压,高集成度可在小面积内做超大W/L) 模拟电路和驱动,尤其是高压功率部分,不适合做逻辑处理.) BCD工艺把双极器件和CMOS器件同时制作在同一芯片上。它综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的优点，使其互相取长补短，发挥各自的优点。更为重要的是，它集成了DMOS功率器件，DMOS可以在开关模式下工作，功耗极低。不需要昂贵的封装和冷却系统就可以将大功率传递给负载。低功耗是BCD工艺的一个主要优点之一。整合过的BCD工艺制程，可大幅降低功率耗损，提高系统性能，节省电路的封装费用，并具有更好的可靠性。第六组：衬底噪声产生的原因，及解决方法衬底噪声产生原因：源、漏-衬底pn结正偏导通，或者电源连线接点引入的串绕，使得衬底电位会产生抖动偏差，这称为衬底噪声。■解决方法：●对于轻掺杂的衬底，要用保护环把敏感部分电路包围起来●把gnd和衬底在片内连在一起，然后由一条线连到片外的全局地线,使得gnd和衬底的跳动一致，也可以消除衬底噪声。●场屏蔽作用：每个block外围一层金属（ptap），使每单元模块同电势，而且模块之间不相互影响。第七组：什么是WPEWPE的概念在离子注入制造工艺时，原子从掩模板的边沿开始扩散，在阱边附近的地方硅片表面变得密集，如图2所示。结果就是，阱表面浓度会随着距离掩模板的边沿的远近而有所不同，因此整个阱的掺杂浓度是不均匀的，如图2中的a)所示。这种不均匀造成MOS管阈值电压的不同，还有其它的电性能也有所不同，它会随着距离阱边距离的不同而不同，