STM32库开发实战指南-M4：49-在SRAM中调试代码.pdfVIP

零死角玩转STM32—F429 第49章 在SRAM 中调试代码 本章参考资料： 《STM32F4xx 中文参考手册》、 《STM32F4xx规格书》、 《Cortex- M3权威指南》、 《Cortex-M4 TechnicalReferenceManual》(跟M3大部分是相同的，读英 文不习惯可先参考 《Cortex-M3权威指南》)。 学习本章时，配合 《STM32F4xx 中文参考手册》 “存储器和总线结构”及 “嵌入式 FLASH接口”章节一起阅读，效果会更佳，特别是涉及到寄存器说明的部分。 49.1 在RAM 中调试代码 一般情况下，我们在MDK 中编写工程应用后，调试时都是把程序下载到芯片的内部 FLASH运行测试的，代码的CODE及RW-data 的内容被写入到内部FLASH 中存储。但在 某些应用场合下却不希望或不能修改内部FLASH 的内容，这时就可以使用RAM调试功能 了，它的本质是把原来存储在内部FLASH 的代码(CODE及RW-data 的内容)改为存储到 SRAM 中(内部SRAM 或外部SDRAM均可)，芯片复位后从SRAM 中加载代码并运行。 把代码下载到RAM 中调试有如下优点：  下载程序非常快。RAM存储器的写入速度比在内部FLASH 中要快得多，且没有 擦除过程，因此在RAM 上调试程序时程序几乎是秒下的，对于需要频繁改动代 码的调试过程，能节约很多时间，省去了烦人的擦除与写入FLASH过程。另外， STM32 的内部FLASH 可擦除次数为 1万次，虽然一般的调试过程都不会擦除这 么多次导致FLASH 失效，但这确实也是一个考虑使用RAM 的因素。  不改写内部FLASH 的原有程序。  对于内部FLASH被锁定的芯片，可以把解锁程序下载到RAM上，进行解锁。 相对地，把代码下载到RAM 中调试有如下缺点：  存储在RAM上的程序掉电后会丢失，不能像FLASH那样保存。  若使用STM32 的内部SRAM存储程序，程序的执行速度与在FLASH 上执行速 度无异，但SRAM空间较小。  若使用外部扩展的SDRAM 存储程序，程序空间非常大，但 STM32 读取 SDRAM 的速度比读取内部FLASH慢，这会导致程序总执行时间增加，因此在 SDRAM 中调试的程序无法完美仿真在内部FLASH运行时的环境。另外，由于 STM32 无法直接从SDRAM 中启动且应用程序复制到SDRAM 的过程比较复杂 (下载程序前需要使 STM32 能正常控制SDRAM)，所以在很少会在 STM32 的 SDRAM 中调试程序。 49.2 STM32 的启动方式 在前面讲解的STM32启动代码章节了解到CM-4 内核在离开复位状态后的工作过程如 下，见图49-1： 第954 页共996 零死角玩转STM32—F429 (1) 从地址0取出栈指针MSP 的初始值，该值就是栈顶的地址。 (2) 从地址0处取出程序指针PC 的初始值，该值指向复位后应执行的第一 条指令。 图49-1复位序列 上述过程由内核自动设置运行环境并执行主体程序，因此它被称为自举过程。 虽然内核是固定访问00址的，但实际上这两个地址可以被 重映射到其它地址空间。以STM32F429为例，根据芯片引出的BOOT0及BOOT1引脚的 电平情况，这两个地址可以被映射到内部FLASH、内部SRAM 以及系统存储器中，不同 的映射配置见表49-1。