Microsoft Word - 第2章 思考题与习题.pdf

思考题与习题  10 -3  2.1 温度为 300K 的本征硅半导体载流子浓度为 n = 1.45¥ 10 cm ，禁带宽度为 1.12eV ，计 i  15 -3  算掺入 10 cm 硼原子后硅中电子和空穴的浓度以及费米能级。 15 -3  解：空穴浓度为 p = N + n ª N = 10 cm a a  2  n  i  5 -3  电子浓度为 n = = 2.10¥ 10 cm  N a  N  a  P 型半导体的费米能级为 E = E - kTln( )  f i  n i  N  15  10  a  E - E = -kTln( )= -(0.0259ev)ln( )= -0.29ev  f i  10  n 1.45¥ 10 i  E + E  E = C V  = 0.56ev  i  2 E - E = 0.56+ 0.29= 0.85ev