等离子体处理对ITO薄膜表面性能的影响.pdfVIP

第 卷 第 期 液 晶 与 显 示 ! ! # ;.2!=.# ! ! ! ! ! 年 月 ! !$$% ’()*+,+-./0*12.34)/)6’0,812,1*69),21, / @ !$$% 5 7 : 7 ? 文章编号 # $ $$AB!A$ !$$%$#B$E$CB$D 氧等离子体处理对^LF薄膜表面性能的影响 ! 刘 陈 !朱光喜 !刘德明 ! # 华中科技大学 电子与信息工程系!湖北 武汉 ! % @ #E$$A# GBH1)2 J(2)./ 8.H@J.H ! ! 华中科技大学 光电子科学与工程学院!湖北 武汉 $ !@ #E$$A# ! 摘 要!利用原子力显微镜研究氧等离子体处理对 ^LF 薄膜的微观表面形貌及表面润湿性 ! 能的影响实验结果表明经过氧等离子体处理! 薄膜的平均粗糙度和峰 谷粗糙度减 ^LF B 小!薄膜的平整度提高%而且表面吸附力增大近一倍!表面能增大!接触角减小!使 ^LF 薄膜 表面的润湿性能和吸附性能得到改善 关 键 词! %氧等离子体处理%原子力显微镜%表面形貌%润湿性 ^LF ! ! 中图分类号! % 文献标识码! L=EEF##@# ! ! ! 性能有所改善!提高有机材料在 ^LF 薄膜上的成 引 言 ! !! 膜性能!文献( ! )采用直接测量接触角的方法 C $ #铟锡氧化物$由于淀积过程中在薄膜中 对 薄膜的润湿性能进行了研究本文将采 ^LF ^LF 产生氧空位和 掺杂取代而形成高度简并的 用原子力显微镜研究 薄膜的表面形貌及其 T* * ^LF 型半导体!费米能级位于导带底之上!具有高载流 表面吸附力!通过表面吸附力与表面能之间的关 子浓度