电导法测量Si_(1-x)Ge_xSi量子阱的能带偏移.pdfVIP

　第 20 卷第 2 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 2　 V o l N o 　1999 年 2 月　　　　　　CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S　　　　　　Feb. , 1999　 电导法测量 1- x x Si Ge Si 量子阱的能带偏移 张胜坤　蒋最敏　秦　捷　林　峰　胡冬枝　裴成文　陆　方 ( 复旦大学表面物理国家重点实验室　上海　200433) 摘要　 本文分析了一个单量子阱的随频率变化的 特性, 提出用电导法测量量子阱的能带 G V 偏移. 通过对一个 单量子阱的实验 曲线的分析, 验证了这一方法的可靠性. Si1- x Gex Si G V : 7320, 7340 PACC L 1　引言 近些年来, 人们对量子阱结构的电容电压( ) 、瞬变电容、电导温度( ) 等电学特 C V G T 性作了较深入的研究, 电容电压法( ) [ 1, 2 ]、深能级瞬态谱( ) [ 3, 4 ]、导纳谱[ 5, 6 ] 等方法 C V DL T S 都被成功地应用于测量量子阱的能带偏移. 但是, 据我们所知, 还没有人研究过量子阱的电 导电压( ) 特性. 本文分析了一个单量子阱的随频率变化的 特性, 提出用电导法测 G V G V 量量子阱的能带偏移. 最后, 通过对一个 1- x x 单量子阱的实验 曲线的分析, 验 Si Ge Si G V 证了这一方法的可靠性. 2　原理 一个肖特基接触的 单量子阱的电容和电导随外加偏压变化, 可等效为 Si Si1- x Gex Si [ 7, 8 ] ( ) 是随偏压变化的 覆盖层中耗尽层的电容, 是覆盖层全 图1 所示的电路 . 图中Cd V Si C d0 部耗尽时的电容, Cb (V ) 是缓冲层中随偏压变化的耗尽层电容. C 和 G 分别是外电路所测量 ( ) [ 7 ] 得到的电容和电导. W 是量子阱的电容, W 是量子阱的电导 , C G V