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种高线性度低噪声下变频混频器
第 46卷 第 4期 微 电 子 学 Vo1.46,NO.4
2016年 8月 croefPcfrDnlcs Aug.2016
一 种高线性度低噪声下变频混频器
高胜凯,高 博 ,龚 敏 ,周银强
(四川省微 电子技术重点实验室,成都 61OO64)
摘 要: 采用SMIC0.18 mRFCM0S工艺,设计 了一种高线性度、低噪声下变频混频器。通
过分析跨导级 电流 3阶展开项系数 ,优化跨导级偏置电压,在跨导级与开关级之间增加谐振频率为
射频信号频率的LC并联谐振 电路 ,在提高电路线性度的同时优化了信噪 比。后仿真结果表明,在
射频频率为 1.575GHz,本振频率为 1.571GHz,中频频率为4MHz时,本振功率为 0dBm,电压
转换增益为 19.22dB,输入 3阶交调点为 21.93dBm,单边带噪声系数为 l1.74dB。混频器工作
电压为 1.8V,功耗为 3.66ITIW ,核心 电路版 图面积为 0.20751Tim 。
关键词 : 混频器;吉尔伯特 ;高线性度 ;闪烁噪声
中图分类号:TN453 文献标识码 :A 文章编号:1004—3365(2016)04—0502—05
A HighLinearityLow NoiseDownConversionM ixer
GAO Shengkai,GAO Bo,GONG M in,ZHOU Yinqiang
(KeyLaboratoryofMicro—ElectronicsTechnologyofSichuanProvince,Chengdu610064,P.R.China)
Abstract: A high linearitylow noisedownconversionmixerwasdesigned intheSMIC0.18 m RFCMOS
process.Throughtheanalysisofthethird—orderexpansion coefficient,an optimum gatebiaswasapplied tOthe
transconductancestageandaparallelLCnetworkresonatingatfRFwasaddedbetweenthetransconductancestage
andtheswitchquadtoimprovethelinearityandsignaltonoiseratio.Resultsfrom layoutsimulationshowedthat
themixerachievedavoltageconversiongainof19.22dB,aninput-referredthird-orderinterceptpointof21.93dBm
andasinglesidebandnoisefigureof11.74dB whentheradiofrequencywas1.575GHz,thelocaloscillatorwas
1.571GHzandtheintermediatefrequencywas4 MHz.Thismixeroperatedata1.8 V powersupply,andthe
powerconsumptionwas3.66mW .Thecorecircuitoccupiedachipareaof0.2075mm .
Keywords: Mixer;Gilbert;Highlinearity;Flickernoise
双平衡吉尔伯特混频器因其射频 (RF)信号与
引 言 本振(L0)信号间良好的隔离度而被广泛采用 。在
接收系
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