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掺杂Y_2O_3氧化锌压敏陶瓷的显微组织及电性能
296 Vol.29 No. 6
200712 PIEZOELECTECT RICS ACOUSTOOPTICS Dec. 2007
2007)
Y O
2 3
1 2 3
刘宏玉, 孔 慧 ,马学鸣
( 1. , 430081;2. , 200237;3. , 200062)
:Y O ,(E )1 934~ 2 197 V/mm
2 3 S
3
() 20. 8~ 21. 8(I L) 0. 59~ 1.04 A() 5.46~ 5.57 g/cm
X(XRD) Y4 (x (Y O )= 0.1 ) Y O
2 3 2 3
Y O ,E , I ( D ) ; ( N ) (N ) ,
2 3 S L d s
( ) ()
B
:; ;; ;ZnO;Y O
2 3
:TB321 :A
Microstructure and Electrical Properties of Y2 O3doped ZnObased
Varistor Ceramics
1 2 3
LIU Hong u , KONGHui , MA Xueming
( 1. School of Science, Wuhan University of Science andTechnology, Wuhan 430081, China; 2. Shanghai AJ NanoScience
Development Co., Ltd., Shanghai200237, China; 3. Dept. of Physics, East China Normal University, Shanghai 200062, China)
Abstract: Y Odoped ZnObased varistor ceramics wereprepared using highenergyball milling ( HEBM) tech
2 3
nique under lowtemperature sintering, with voltagegradient (E S) of 1 934~ 2 197 V/mm, nonlinear coefficient
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